加热体及包含该加热体的水平区熔炉制造技术

本实用新型专利技术属于材料生长和提纯技术领域，公开了一种加热体，包括：碳化硅圆柱，所述碳化硅圆柱结构相同，所述碳化硅圆柱基于电热管加热；隔热圆筒，所述隔热圆筒设在相邻的碳化硅圆柱之间；隔热反射组件，所述隔热反射组件包覆在所述碳化硅圆柱和所述隔热圆筒外壁。本实用新型专利技术通过独立控温和优化的算法设计实现组合加温，获得中间段加热体的熔区长度在5mm

【技术实现步骤摘要】
加热体及包含该加热体的水平区熔炉


[0001]本技术属于材料生长和提纯
，具体涉及一种加热体及包含该加热体的水平熔炉。

技术介绍

[0002]区熔技术是用于单晶材料生长和材料提纯的材料制备技术。区熔法分为两种：水平区熔法和立式悬浮区熔法。前者主要用于锗、GaAs、稀土等材料的提纯和单晶生长。后者主要用于硅，这是由于硅的熔点高，化学性能活泼，容易受到异物的玷污，难以找到适合的舟皿，不能采用水平区熔法。
[0003]如果需要生长极高纯度的硅单晶，其技术选择首先是悬浮区熔提炼，其次是直拉法。区熔法可以得到低至10
11
cm
‑3的载流子浓度。区熔生长技术的基本特点是样品的熔化部分是完全由固体部分支撑的，不需要坩埚。柱状的高纯多晶材料固定于卡盘，一个金属线圈沿多晶长度方向缓慢移动并通过柱状多晶，在金属线圈中通过高功率的射频电流，射频功率器的电磁场将在多晶柱中引起涡流，产生焦耳热，通过调整线圈功率，可以使得多晶柱线圈内部的部分熔化，线圈移过后，熔料在结晶为为单晶。另一种使晶柱局部熔化的方法是使用聚焦电子束。整个区熔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.加热体，其特征在于，包括：碳化硅圆柱，所述碳化硅圆柱设置有若干组，所述碳化硅圆柱结构相同，所述碳化硅圆柱基于电热管加热，所述碳化硅圆柱的长度不大于50mm；隔热圆筒，所述隔热圆筒设在相邻的碳化硅圆柱之间；隔热反射组件，所述隔热反射组件包覆在所述碳化硅圆柱和所述隔热圆筒外壁。2.根据权利要求1所述的加热体，其特征在于，所述碳化硅圆柱设置有奇数组。3.根据权利要求1所述的加热体，其特征在于，所述隔热反射组件包括隔热层和不锈钢反射层，所述隔热层设在有2层，内侧所述隔热层包覆在所述碳化硅圆柱和所述隔热圆筒外壁，所述不锈钢反射层设置有2层，内侧所述不锈钢反射层设置与2层所述隔热层之间，外侧所述不锈钢反射层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宏，桑彧，刘伟祎，
申请(专利权)人：苏州窄带半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：