驱动电路和射频开关电路制造技术

一种驱动电路和射频开关电路，驱动电路适于驱动射频开关，驱动电路包括：降压电平转换电路模块。源极适于输入第一电源电压，或漏极适于输入第一电源电压。降压电平转换电路模块的输入端连接射频开关的栅极，降压电平转换电路模块的输出端连接射频开关的衬底。降压电平转换电路模块适于在输入端接收控制信号，在控制信号为第一开启电压时提供第二开启电压至其输出端，在控制信号为第一关断电压时提供第二关断电压至其输出端。其中，第一开启电压大于第二开启电压，第一开启电压大于第一电源电压，第二开启电压不小于第一电源电压，第一开启电压大于第一关断电压，第二关断电压不大于第一电源电压且不小于第一关断电压。第一电源电压且不小于第一关断电压。第一电源电压且不小于第一关断电压。

【技术实现步骤摘要】
驱动电路和射频开关电路


[0001]本专利技术涉及射频开关领域，尤其涉及一种驱动电路和射频开关电路。

技术介绍

[0002]SOI(Silicon
‑
On
‑
Insulator，即绝缘衬底上的硅)开关器件的体区驱动方式对击穿电压及工艺FOM(Figure Of Merit，品质因子)至关重要。合理的体区驱动方式不仅有助于优化射频开关功率能力及谐波、插损与隔离度等性能，而且可以简化电路设计，节省芯片面积。
[0003]图1为一种现有射频开关的驱动电路，该驱动电路包括：栅极偏置电阻Rg、衬底偏置电阻Rb、源极偏置电阻Rs、源极通路电阻Rds和反相器INV，用于驱动射频开关Msw。
[0004]栅极偏置电阻Rg的第一端适于输入控制信号CT0，栅极偏置电阻Rg的第二端连接射频开关Msw的栅极。反相器INV的输入端连接栅极偏置电阻Rg的第一端，反相器INV的输出端连接源极偏置电阻Rs的第一端，反相器INV的电源端适于输入第一电源电压Vdd。源极偏置电阻Rs的第二端连接射频开关Msw的源极和源极通路电阻R本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动电路，适于驱动射频开关，所述射频开关包括：源极、漏极、栅极和衬底，其特征在于，所述驱动电路包括：降压电平转换电路模块；所述源极适于输入第一电源电压，或者所述漏极适于输入所述第一电源电压；所述降压电平转换电路模块的输入端连接所述射频开关的栅极，所述降压电平转换电路模块的输出端连接所述射频开关的衬底；所述降压电平转换电路模块适于在其输入端接收控制信号，在所述控制信号为第一开启电压时提供第二开启电压至其输出端，在所述控制信号为第一关断电压时提供第二关断电压至其输出端；其中，所述第一开启电压大于所述第二开启电压，所述第一开启电压大于所述第一电源电压，所述第二开启电压不小于所述第一电源电压，所述第一开启电压大于所述第一关断电压，所述第二关断电压不大于所述第一电源电压且不小于所述第一关断电压。2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一开启电压的电压值为所述第一电源电压的电压值的整数倍，所述第二开启电压与所述第一电源电压的电压值相等。3.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述降压电平转换电路模块包括：第一二极管和串联的多个第二二极管；所述第一二极管的阴极连接第一个第二二极管的阳极和所述降压电平转换电路模块的输入端；所述第一二极管的阳极连接最后一个第二二极管的阴极和所述降压电平转换电路模块的输出端。4.如权利要求1所述的驱动电路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴若凡，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：