一种高介质耐电压的光MOS固体继电器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高介质耐电压的光MOS固体继电器，包括陶瓷管壳和密封所述陶瓷管壳的金属盖板；陶瓷管壳的两侧分别固定有输入脚和输出脚；陶瓷管壳内设置有SiC MOSFET芯片、光伏组件阵列芯片、陶瓷基板和固定在陶瓷基板底部的红外发光二极管芯片；光伏组件阵列芯片与红外发光二极管芯片相对设置，并与SiC MOSFET芯片电连接；SiC MOSFET芯片与输出脚电连接。本实用新型专利技术采用陶瓷密封结构，介质耐电压指标达到4500Vr.m.s。压指标达到4500Vr.m.s。压指标达到4500Vr.m.s。

【技术实现步骤摘要】
一种高介质耐电压的光MOS固体继电器


[0001]本技术属于继电器的制造
，具体涉及一种高介质耐电压的光MOS固体继电器。

技术介绍

[0002]随着光MOS固体继电器技术的不断发展，作为电路转换应用于汽车、电源、铁路、智能电网、工业设备、家用消费电子设备等各个领域，由于光MOS固体继电器具有体积小、灵敏度高、寿命长、过负载能力强、TTL兼容性等优点，广泛应用于其控制电路中。
[0003]在车载设备的电池电压监测、接地故障检测、开关检测、自动化测量等方面需要高介质耐电压、高电压的光MOS固体继电器实现电路监测，特别是工作电压越高的用电设备上，要求的介质耐电压和工作电压越高。目前汽车一般使用塑封光MOS固体继电器进行转换功能，其由于环境适应性差，已无法满足汽车对恶劣环境的使用要求，另外塑封光MOS固体继电器的工作电流偏小，无法满足多路矩阵测试的要求，因此密封高耐压型光MOS继电器需求急剧增加。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题，本技术提供了一种高介质耐电压的光MOS固体继电器。本技术要解决的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高介质耐电压的光MOS固体继电器，其特征在于，包括陶瓷管壳和密封所述陶瓷管壳的金属盖板；所述陶瓷管壳的两侧分别封装有输入脚和输出脚；所述陶瓷管壳的四周壁厚为1.0～1.2mm，底部厚度为0.6～0.8mm；所述输入脚、输出脚与所述陶瓷管壳上端面的距离为2.55～3.0mm；所述陶瓷管壳内的底面一侧具有陶瓷隔离台和两个SiC MOSFET芯片，两个所述SiC MOSFET芯片分别通过第一焊盘和第二焊盘固定在所述陶瓷隔离台两旁；所述陶瓷隔离台凸出所述SiC MOSFET芯片的顶端，且所述陶瓷隔离台的顶面具有第三焊盘，所述第三焊盘与所述SiC MOSFET芯片的垂直间距为0.5～0.7mm；所述陶瓷管壳内的底面另一侧具有两个陶瓷安装台和光伏组件阵列芯片，所述光伏组件阵列芯片通过第四焊盘固定在两个所述陶瓷安装台之间，所述陶瓷安装台的高度为1.6～2.0mm；且所述两个陶瓷安装台的顶面上均具有第五焊盘，所述第五焊盘与第四焊盘的水平间距为1.2～2mm；两个所述陶瓷安装台上设置有陶瓷基板，所述陶瓷基板的下...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国明，刘亚锋，朱煜，杨姣，
申请(专利权)人：陕西群力电工有限责任公司，
类型：新型
国别省市：