【技术实现步骤摘要】
运行时期间电源开关的栅极到源极监测
[0001]本公开涉及电源开关，并且更具体地涉及用于监测电源开关电路的操作的技术和电路。
技术介绍
[0002]场效应晶体管(FET)通常用作电源开关以控制向负载的功率递送。FET的示例可以包括但不限于结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体FET(MOSFET)、双栅极MOSFET、任何其他类型的FET或其任何组合。MOSFET的示例可以包括但不限于PMOS、NMOS、DMOS或任何其他类型的MOSFET或其任何组合。MOSFET可以由硅、氮化镓、碳化硅或其他材料形成。
[0003]电源开关通常由驱动器电路经由调制控制信号控制，诸如脉冲宽度调制(PWM)、脉冲频率调制(PFM)、脉冲宽度调制、脉冲密度调制或其他类型的调制控制信号。调制控制信号可以施加到电源开关的栅极，以控制电源开关的接通/断开切换，并且从而控制通过电源开关递送到负载的平均电量。电源开关的接通/断开切换有效地将其功率递送分成离散部分。馈入负载的电压和/或电流的平均值可以通过以较快速率接通和断开开关来控制。与断...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种被配置为控制电源开关的驱动器电路，所述驱动器电路包括：输出引脚，被配置为向所述电源开关的栅极递送信号以控制所述电源开关的接通/断开状态；以及比较器，被配置为在所述电源开关接通时将所述电源开关的栅源电压与第一阈值进行比较、并且在所述电源开关断开时将所述电源开关的所述栅源电压与第二阈值进行比较。2.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中所述比较器基于来自控制单元的一个或多个控制信号能够配置有所述第一阈值或所述第二阈值。3.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中所述比较器被配置为：在所述电源开关接通时响应于所述栅源电压大于所述第一阈值而输出第一逻辑信号、并且在所述电源开关断开时响应于所述栅源电压小于所述第二阈值而输出第二逻辑信号。4.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中在所述电源开关的开关周期期间来自所述比较器的逻辑信号的缺失指示与所述比较器相关联的故障。5.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中所述比较器被配置为在所述电源开关接通时具有第一极性并且被配置为在所述电源开关断开时具有第二极性，其中所述第一极性不同于所述第二极性。6.一种驱动器电路，被配置为控制以半桥布置的高侧电源开关和低侧电源开关，所述驱动器电路包括：第一输出引脚，被配置为向所述高侧电源开关的栅极递送高侧信号以控制所述高侧电源开关的接通/断开状态；第二输出引脚，被配置为向所述低侧电源开关的栅极递送低侧信号以控制所述低侧电源开关的接通/断开状态；第一比较器，被配置为在所述高侧电源开关接通时将所述高侧电源开关的栅源电压与第一阈值进行比较、并且在所述高侧电源开关断开时将所述高侧电源开关的所述栅源电压与第二阈值进行比较；以及第二比较器，被配置为在所述低侧电源开关接通时将所述低侧电源开关的栅源电压与第一阈值进行比较、并且在所述低侧电源开关断开时将所述低侧电源开关的所述栅源电压与第二阈值进行比较。7.根据权利要求6所述的驱动器电路，其中所述第一比较器和所述第二比较器各自基于来自控制单元的一个或多个控制信号能够配置有所述第一阈值或所述第二阈值。8.根据权利要求6所述的驱动器电路，其中所述第一比较器被配置为：在所述高侧电源开关接通时响应于所述高侧电源开关的所述栅源电压大于所述第一阈值而输出第一逻辑信号、并且在所述高侧电源开关断开时响应于所述高侧电源开关的所述栅源电压小于所述第二阈值而输出第二逻辑信号，以及其中所述第二比较器被配置为：在所述低侧电源开关接通时响应于所述低侧电源开关的所述栅源电压大于所述第一阈值而输出第三逻辑信号、并且在所述低侧电源开关断开时响应于所述低侧电源开关的所述栅源电压小于所述第二阈值而输出第四逻辑信号。9.根据权利要求6所述的驱动器电路，其中在开关周期期间来自所述第一比较器的第一逻辑信号或第二逻辑信号的缺失指示与所述第一比较器相关联的故障，并且其中在所述开关周期期间来自所述第二比较器的第三逻辑信号或第四逻辑信号的缺失指示与所述第
二比较器相关联的故障。10.根据权利要求6所述的驱动器电路，其中所述驱动器电路被配置为以互补方式接通和断开所述高侧电源开关和所述低侧电源开关，其中所述第一比较器被配置为在所述高侧电源开关接通时具有第一极性并且被配置为在所述高侧电源开关断开时具有第二极性...
【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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