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一种高介质耐电压的光MOS固体继电器制造技术
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文档序号:37091862
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本实用新型公开了一种高介质耐电压的光MOS固体继电器,包括陶瓷管壳和密封所述陶瓷管壳的金属盖板;陶瓷管壳的两侧分别固定有输入脚和输出脚;陶瓷管壳内设置有SiC MOSFET芯片、光伏组件阵列芯片、陶瓷基板和固定在陶瓷基板底部的红外发光二极管...
该专利属于陕西群力电工有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过陕西群力电工有限责任公司授权不得商用。
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