一种导通压降可调的PMOS理想二极管电路制造技术

一种导通压降可调的PMOS理想二极管电路，理想二极管包括放大器、PMOS管、参考电压源；理想二极管的正端为P，负端为N；PMOS管的源极连接理想二极管的负端N，漏极连接理想二极管的正端P；放大器的正相输入端INP连接理想二极管的负端N，反相输入端INN连接参考电压源的负极，输出端OUT连接PMOS管的栅极，电源连接VCC，地连接GND；参考电压源的正极连接理想二极管的正端P。其优点是：引入适当的参考电压，通过负反馈回路把理想二极管的正向导通压降钳位到引入的参考电压，有效控制理想二极管的正向导通压降，通过调整引入的参考电压值使其大于反馈回路的放大器失调电压就可确保理想二极管反向截止关断，从而有效克服了既有技术的反偏漏电缺陷。偏漏电缺陷。偏漏电缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种导通压降可调的PMOS理想二极管电路


[0001]本技术属于电子电路领域，具体涉及一种导通压降可调的PMOS理想二极管电路。

技术介绍

[0002]一般的二极管正向导通压降在0.7伏左右，当导通电流大的时候会产生较大的消耗功率导致器件发热失效。理想二极管的本质在于通过电路来实现一般二级管的功能，即正向导通，反向截止，同时降低正向导通压降，从而降低发热功耗。
[0003]图1为一种由PMOS管组成的低损耗的理想二极管电路，理想二极管电路D0由共栅差分放大器A0和PMOS管MP0组成，理想二极管的正极为P0，负极为N0。共栅差分放大器A0由PMOS管MP2和MP3，电阻R1和R2组成；共栅差分放大器A0的正相输入端为INP0，反相输入端为INN0,输出端为OUT0；共栅差分放大器A0的正相输入端INP0和反相输入端INN0分别和PMOS管MP0的源极和漏极连接，输出端OUT0和所述PMOS管MP0的栅极连接。共栅差分放大器A0检测所述PMOS管MP0漏源电压V
DS0
，放大后通过输出端OUT0输出控制所述PMOS管MP0的栅极，当所述PMOS管MP0的源极电压不小于漏极电压(即V
DS0
≤0)时，所述共栅差分放大器A0的正相输入端INP0的电压大于等于反相输入端INN0的电压，放大器A0输出端OUT0输出高电平控制所述PMOS管MP0关断，反之(即V
DS0
＞0)MP0导通。即当理想二极管的正极P0的电压大于等于负极N0的电压时，理想二极管导通，当理想二极管的正极P0的电压小于负极N0的电压时，理想二极管截止。
[0004]上述现有技术只有在所述共栅差分放大器A0不存在输入失调电压的理想条件下才能实现。在实际电路中，放大器输入端都存在失调电压，失调电压可能为正，也可能为负，具有随机性，放大器实际看到的输入电压为外部输入电压加上放大器的失调电压。如图2所示，当共栅差分放大器A0的输入失调电压V
OS0
时，共栅差分放大器A0实际的输入电压为V
IN0
，
[0005]V
IN0
＝V
INP0'
‑
V
INN0
＝
‑
V
DS0
+V
OS0
[0006]当失调电压V
OS0
为正电压情况下(即V
OS0
＞0)，当V
DS0
＜0，
[0007]V
IN0
＝
‑
V
DS0
+V
OS0
＞0
[0008]即所述共栅放大器A0正相输入端实际输入电压大于反相输入端电压，输出端OUT0输出高电平，所述PMOS管MP0关断，即所述理想二极管D0能截止关断。
[0009]但当V
OS0
为负电压的情况下(即V
OS0
＜0)，所述PMOS管MP0的源漏极电压V
DS0
在电压区间V
OS0
和0时(即V
OS0
＜V
DS0
＜0时)，
[0010]V
IN0
＝
‑
V
DS0
+V
OS0
＜0
[0011]即所述共栅放大器A0正相输入端实际输入电压是小于反相输入端电压的，输出端OUT0输出低电平，所述PMOS管MP0开启导通。例如，当所述V
OS0
为
‑
50mV时，当所述V
DS0
在
‑
50mV到0mV电压区间时，所述理想二极管D0也是导通的。也就是说，所述理想二极管D0在这种情况下存在反向导通，即理想二极管反向不能截止关断。这种理想二极管在应用中存在极大的隐患，应用受到极大限制。

技术实现思路

[0012]本技术要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种导通压降可调的PMOS理想二极管电路，可有效控制二极管的导通压降，确保理想二极管在正负端电压反偏即反向时截止导通，有效避免反向漏电问题。
[0013]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种导通压降可调的PMOS理想二极管电路，其特征在于：包括理想二极管，所述理想二极管包括放大器、PMOS管、参考电压源；所述理想二极管的正端为P，负端为N；
[0014]所述PMOS管的源极连接所述理想二极管的负端N，漏极连接所述理想二极管的正端P；所述放大器的正相输入端INP连接所述理想二极管的负端N，反相输入端INN连接所述参考电压源的负极，输出端OUT连接所述PMOS管的栅极，电源连接VCC，地连接GND；所述参考电压源的正极连接所述理想二极管的正端P。
[0015]与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术通过引入适当的参考电压，通过负反馈回路把理想二极管的正向导通压降钳位到引入的参考电压，有效地控制理想二极管的正向导通压降，通过调整引入的参考电压值使其大于反馈回路的放大器失调电压就可确保理想二极管反向截止关断，从而有效克服了既有技术的反偏漏电缺陷。
附图说明
[0016]图1是现有技术中的理想二极管电路原理图一；
[0017]图2是现有技术中的理想二极管电路原理图二；
[0018]图3是本技术实施例一的电路原理图一；
[0019]图4是本技术实施例一的电路原理图二。
具体实施方式
[0020]下面结合附图实施例，对本技术做进一步描述：
[0021]实施例一
[0022]如图3所示，一种导通压降可调的PMOS理想二极管电路，包括理想二极管100，理想二极管100包括放大器101、PMOS管103、参考电压源102；理想二极管100的正端为P，负端为N；
[0023]PMOS管103的源极连接理想二极管100的负端N，漏极连接理想二极管100的正端P；放大器101的正相输入端INP连接理想二极管100的负端N，反相输入端INN连接参考电压源102的负极，输出端OUT连接PMOS管102的栅极，电源连接VCC，地连接GND；参考电压源102的正极连接理想二极管100的正端P。
[0024]放大器101、PMOS管103和参考电压源102连接形成负反馈回路，参考电压源102提供参考电压V
REF
。
[0025]当PMOS管103的漏源极电压V
DS
小于参考电压V
REF
时，放大器101的正相输入端INP的电压高于反相端INN的电压，放大器101的输出端OUT输出高电平，PMOS管103关断，即理想二极管100关断；当PMOS管103的漏源极电压V
DS
大于参考电压V
REF
时，放大器101的正相输入端INP的电压低于反相端INN的电压，放大器101的输出端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导通压降可调的PMOS理想二极管电路，其特征在于：包括理想二极管，所述理想二极管包括放大器、PMOS管、参考电压源；所述理想二极管的正端为P，负端为N；所述PMOS管的源极连接所述理想二极管的负端N，漏极连接所述理想二极管的正...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖安全，
申请(专利权)人：岱昆半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：