【技术实现步骤摘要】
一种导通电压可调的NMOS理想二极管电路
[0001]本技术属于电子电路领域,具体涉及一种导通电压可调的NMOS理想二极管电路。
技术介绍
[0002]一般的二极管正向导通压降在0.7伏左右,当导通电流大的时候会产生较大的消耗功率导致器件发热失效。理想二极管的本质在于通过电路来实现一般二极管的功能,即正向导通,反向截止,同时降低正向导通压降,从而降低发热功耗。
[0003]图1为一种低损耗的理想二极管电路。理想二极管电路U0由共栅差分放大器U1和NMOS管MN1组成,理想二极管的正极为P,负极为N。共栅差分放大器U1由NMOS管MN2和MN3,电阻R1和R2组成;共栅差分放大器U1的正相输入端为1NP,反相输入端为INN,输出端为OUT;共栅差分放大器U1的正相输入端1NP和反相输入端INN分别和NMOS管MNl的源极和漏极连接,输出端OUT和NMOS管MN1的栅极连接。共栅差分放大器U1检测NMOS管MNl源漏电压V
SD
,放大后通过输出端OUT输出控制NMOS管MNl的栅极,当NMOS管MN1的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种导通电压可调的NMOS理想二极管电路,其特征在于:包括理想二极管,所述理想二极管包括放大器、NMOS管、参考电压源;所述理想二极管的正端为P,负端为N;所述NMOS管的源极连接所述理想二极管的正端P,漏极连接所述理想二极管的负...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖安全,
申请(专利权)人:岱昆半导体上海有限公司,
类型:新型
国别省市:
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