一种无源型自适应理想二极管电路制造技术

本申请提供一种无源型自适应理想二极管电路，涉及理想二极管领域，一种无源型自适应理想二极管电路，第一供电电源、第二供电电源、第一自适应主控电路与第二自适应主控电路，本发明专利技术的第一供电电源用于给第一自适应主控电路供电，第二供电电源用于给第二自适应主控电路供电，当第一供电电源或第二供电电源单个供电时，第一驱动电路、第二驱动电路可进行单向导通，且可进行无中断切换，自适应的推动驱动电路线性开通或瞬态关断，从而实现无源型自适应理想二极管的功能，本发明专利技术可采用少量的基础元器件实现理想二极管的功能，不需要复杂及专用的控制芯片，不需要额外的辅助供电电源。不需要额外的辅助供电电源。不需要额外的辅助供电电源。

【技术实现步骤摘要】
一种无源型自适应理想二极管电路


[0001]本申请涉及理想二极管领域，具体而言，涉及一种无源型自适应理想二极管电路。

技术介绍

[0002]开关电源的并机电路对系统级的可靠性和冗余有着致关重要的作用，当开关电源“1+1”或“N+1"并联给系统供电，如果没有并机电路，当一台电源失效，会导致整个系统崩溃。传统上，利用二极管的单向导电性，当开关电源“1+1”或“N+1"并联给系统供电，如果一台或多台失效，单向导电的并机二极管自然无间断的把失效电源隔离，使系统没有失效风险，并且可以让操作人员带电热插拔操作。保证系统长期不间断的工作。
[0003]二极管与Mosfets或其他有源可控器件相比，导通压降是Mosfets或其他有源可控器件的几十倍，随着系统功率的增加，这个损耗是不可忽略的，并且影响了电源的可靠性和增加额外成本。所以在较大系统中，并机二极管大多用Mosfets替代。但是Mosfet是解决了热的问题，但是Mosfets是双向器件，一方面电路确认Mosfets中的电流流向而采取适当的控制策略，另一方面，对常用的N
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Mosfets,需要外加辅助源驱动Mosfets,从而是电源的并机控制复杂并且容易失效。
[0004]在开关电源给蓄电池充电中，同样希望整个系统的电流单向流动，也存在并机应用中相同的控制策略和问题。

技术实现思路

[0005]本申请实施例的目的在于提供一种无源型自适应理想二极管电路，其能够解决电源的并机控制复杂并且容易失效的技术问题。
[0006]本申请实施例提供包括第一供电电源、第二供电电源、第一自适应主控电路与第二自适应主控电路，所述第一自适应主控电路包括第一驱动电路、第一放大电路与第一比较电路，所述第二自适应主控电路包括第二驱动电路、第二放大电路与第二驱动电路，所述第一供电电源用于给所述第一驱动电路的输入端供电，所述第一驱动电路的输出端与所述第一比较电路的输入端连接，所述第一比较电路的输出端与所述第一放大电路连接，所述第二供电电源用于给所述第二驱动电路的输入端供电，所述第二驱动电路的输出端与所述第二比较电路的输入端连接，所述第二比较电路的输出端与所述第二放大电路连接。
[0007]作为优选，所述第一驱动电路包括电容C1、开关管Q1，所述第一比较电路包括三极管Q2、电阻R2、电阻R1、电容C2、三极管Q3和电阻R4，所述第一放大电路包括三极管Q4、三极管Q5、电阻R3和电阻R5，所述开关管Q1的漏极与所述供电电源VIN+1连接，所述开关管Q1的源极与所述三极管Q3的发射极连接，所述开关管Q1的栅极通过所述电阻R3与所述三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q2的基极通过所述电阻R1与所述三极管Q3的基极连接，所述三极管Q2的发射极、所述电容C1的一端均与所述供电电源VIN+1连接，所述三极管Q2的集电极通过所述电阻R2接地，所述电容C1的输出端接地，所述电容C2的一端与所述三极管Q2的基极连接，所述C2的另一端与所述三极管Q3的基极连接，所述三极管Q3的集电极通过所述电
阻R4接地，所述三极管Q4的集电极与所述供电电源VOUT+连接，所述三极管Q4的基极与所述三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q4的发射极与所述三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q5的基极与所述三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q5的集电极通过所述电阻R5接地。
[0008]作为优选，所述第一比较放大外接有电容C3，所述电容C3的一端与所述三极管Q4的集电极连接，所述电容C3的另一端接地。
[0009]作为优选，所述第二驱动电路包括电容C4、开关管Q6，所述第二比较电路包括三极管Q7、电阻R7、电阻R6、电容C5、三极管Q8和电阻R9，所述第二放大电路包括三极管Q9、三极管Q10、电阻R8和电阻R10，所述开关管Q6的漏极与所述供电电源VIN+2连接，所述开关管Q6的源极与所述三极管Q8的发射极连接，所述开关管Q6的栅极通过所述电阻R8与所述开关管Q10的发射极连接，所述三极管Q7的基极通过所述电阻R6与所述三极管Q8的基极连接，所述三极管Q7的发射极、所述电容C4的一端均与所述供电电源VIN+2连接，所述三极管Q7的集电极通过所述电阻R7接地，所述电容C4的另一端接地，所述电容C5的一端与所述三极管Q7的基极连接，所述C5的另一端与所述三极管Q8的基极连接，所述三极管Q8的集电极通过所述电阻R9接地，所述三极管Q9的集电极与所述供电电源VOUT+连接，所述三极管Q9的基极与所述三极管Q8的集电极连接，所述三极管Q9的发射极与所述开关管Q10的发射极连接，所述开关管Q10的基极与所述三极管Q8的集电极连接，所述开关管Q10的集电极通过所述电阻R10接地。
[0010]作为优选，所述第一供电电源、所述第二供电电源均为直流电源。
[0011]一种无源型自适应理想二极管电路，包括多个供电电源及其多个自适应主控电路，所述多个供电电源用于分别给所述自适应主控电路供电，多个所述自适应主控电路并联，所述自适应主控电路包括驱动电路、放大电路、比较电路，所述供电电源、驱动电路、所述比较电路、所述放大电路依次连接。
[0012]作为优选，所述供电电源均为直流电源。
[0013]作为优选，所述驱动电路包括电容C1、开关管Q1，所述比较电路包括三极管Q2、电阻R2、电阻R1、电容C2、三极管Q3和电阻R4，所述放大电路包括三极管Q4、三极管Q5、电阻R3和电阻R5，所述开关管Q1的漏极与所述供电电源VIN+1连接，所述开关管Q1的源极与所述三极管Q3的发射极连接，所述开关管Q1的栅极通过所述电阻R3与所述三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q2的基极通过所述电阻R1与所述三极管Q3的基极连接，所述三极管Q2的发射极、所述电容C1的一端均与所述供电电源VIN+1连接，所述三极管Q2的集电极通过所述电阻R2接地，所述电容C1的另一端接地，所述电容C2的一端与所述三极管Q2的基极连接，所述C2的另一端与所述三极管Q3的基极连接，所述三极管Q3的集电极通过所述电阻R4接地，所述三极管Q4的集电极与所述供电电源VOUT+连接，所述三极管Q4的基极与所述三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q4的发射极与所述三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q5的基极与所述三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q5的集电极通过所述电阻R5接地。
[0014]本专利技术的有益效果：
[0015]本专利技术提供的一种无源型自适应理想二极管电路，第一供电电源、第二供电电源、第一自适应主控电路与第二自适应主控电路，所述第一自适应主控电路包括第一驱动电路、第一放大电路与第一比较电路，所述第二自适应主控电路包括第二驱动电路、第二放大电路与第二驱动电路，所述第一供电电源用于给所述第一驱动电路的输入端供电，所述第
一驱动电路的输出端与所述第一比较电路的输入端连接，所述第一比较电路的输出端与所述第一放大电路连接，所述第二供电电源用于给所述第二驱动电路的输入端供电，所述第二驱动电路的输出端与所述第二比较电路的输入端连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无源型自适应理想二极管电路，其特征在于：包括第一供电电源、第二供电电源、第一自适应主控电路与第二自适应主控电路，所述第一自适应主控电路包括第一驱动电路、第一放大电路与第一比较电路，所述第二自适应主控电路包括第二驱动电路、第二放大电路与第二驱动电路，所述第一供电电源用于给所述第一驱动电路的输入端供电，所述第一驱动电路的输出端与所述第一比较电路的输入端连接，所述第一比较电路的输出端与所述第一放大电路连接，所述第二供电电源用于给所述第二驱动电路的输入端供电，所述第二驱动电路的输出端与所述第二比较电路的输入端连接，所述第二比较电路的输出端与所述第二放大电路连接。2.根据权利要求1所述的一种无源型自适应理想二极管电路，其特征在于：所述第一驱动电路包括电容C1、开关管Q1，所述第一比较电路包括三极管Q2、电阻R2、电阻R1、电容C2、三极管Q3和电阻R4，所述第一放大电路包括三极管Q4、三极管Q5、电阻R3和电阻R5，所述开关管Q1的漏极与所述供电电源VIN+1连接，所述开关管Q1的源极与所述三极管Q3的发射极连接，所述开关管Q1的栅极通过所述电阻R3与所述三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q2的基极通过所述电阻R1与所述三极管Q3的基极连接，所述三极管Q2的发射极、所述电容C1的一端均与所述供电电源VIN+1连接，所述三极管Q2的集电极通过所述电阻R2接地，所述电容C1的输出端接地，所述电容C2的一端与所述三极管Q2的基极连接，所述C2的另一端与所述三极管Q3的基极连接，所述三极管Q3的集电极通过所述电阻R4接地，所述三极管Q4的集电极与所述供电电源VOUT+连接，所述三极管Q4的基极与所述三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q4的发射极与所述三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q5的基极与所述三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q5的集电极通过所述电阻R5接地。3.根据权利要求2所述的一种无源型自适应理想二极管电路，其特征在于：所述第一比较放大外接有电容C3，所述电容C3的一端与所述三极管Q4的集电极连接，所述电容C3的另一端接地。4.根据权利要求1所述的一种无源型自适应理想二极管电路，其特征在于：所述第二驱动电路包括电容C4、开关管Q6，所述第二比较电路包括三极管Q7、电阻R7、电阻R6、电容C5、三极管Q8和电阻R9，所述第二放大电路包括三极管Q9、三极管Q10、电阻R8和电阻R10，所述开关管Q6的漏极与所述供电电源VIN+2连接，所述开关管Q6的源极与所述三极管Q8的发射极连接，所述开关管Q6的栅极通过所述电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾建平，吕卉卉，
申请(专利权)人：东莞毓华电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：