一种PMOS管的高速开关电路制造技术

本发明专利技术涉及一种PMOS管的高速开关电路，属于功率电子技术领域，解决了现有电路在进行电压加载和切断时存在较长时间延迟的问题。该电路包括：PMOS管、放电电路以及充电电路；所述PMOS管的源极与输入电源连接，栅极分别与充电电路和放电电路连接，漏极的输出电压作为PMOS管的输出电压Vout；所述放电电路，用于根据开关信号对所述PMOS管栅极进行放电，使所述PMOS管处于导通状态；所述充电电路，用于根据所述开关信号对所述PMOS管栅极进行充电，使所述PMOS管处于截止状态。实现了开关电路的输出电压的快速切换。压的快速切换。压的快速切换。

【技术实现步骤摘要】
一种PMOS管的高速开关电路


[0001]本专利技术涉及功率电子
，尤其涉及一种PMOS管的高速开关电路。

技术介绍

[0002]P沟道MOSFET开关管(简称PMOS管)是功率电子电路中比较常用的器件，主要应用于电源电路的输出开关控制，大功率放大器中功放管漏极电流的开关控制等。PMOS管是负栅源电压控制器件，通过调节珊源电压值来控制管子的导通和截止，具有工作电流大、导通电阻低等特点。
[0003]目前，常规的PMOS管开关电路如图1所示，Vc为工作电压，Vg为栅极电压，Vout为受控输出电压，T/R为开关信号，V1为PMOS开关管，V2为NPN双极型三极管。当T/R为高电平时，三极管V2导通，栅极电压Vg为电阻R1、电阻R2和三极管导通饱和电压Vces三者的分压，通过调节电阻R1和R2的比值，可设置Vg电压值，使PMOS管V1的栅源电压Vg
‑
Vs小于管子的导通电压(为负值)，此时Vout＝Vc。当T/R为低电平时，三极管V2截止，Vg和Vc电压值相同，PMOS管V1的栅源电压为0，管子截止，Vout电压为0。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PMOS管的高速开关电路，其特征在于，所述高速开关电路包括PMOS管、放电电路以及充电电路；所述PMOS管的源极与输入电源连接，栅极分别与充电电路和放电电路连接，漏极的输出电压作为PMOS管的输出电压Vout；所述放电电路，用于根据开关信号对所述PMOS管栅极进行放电，使所述PMOS管处于导通状态；所述充电电路，用于根据所述开关信号对所述PMOS管栅极进行充电，使所述PMOS管处于截止状态。2.根据权利要求1所述的PMOS管的高速开关电路，其特征在于，还包括：当所述开关信号输出高电平时，所述放电电路对所述PMOS管栅极进行放电，所述PMOS管V1处于导通状态；当所述开关信号输出低电平时，所述充电电路对所述PMOS管栅极进行充电，所述PMOS管V1处于截止状态。3.根据权利要求2所述的PMOS管的高速开关电路，其特征在于，所述充电电路，包括：电阻R2～R3，三极管V2和三极管V4；所述三极管V2的集电极与输入电源连接，基极与电阻R2的一端连接，发射极与所述PMOS管V1的栅极连接；所述电阻R2的另一端与所述输入电源相连；所述三极管V4的集电极与所述三极管V2的基极相连，基极与所述电阻R3的一端相连，发射极接地；所述电阻R3的另一端连接开关信号T/R。4.根据权利要求2所述的PMOS管的高速开关电路，其特征在于，所述放电电路，包括：电阻R1、稳压二极管V5、三极管V3和电阻R4；所述电阻R1的一端与输入电源相连，另一端与PMOS管V1的栅极相连；所述三极管V3的集电极与所述稳压二极管V5的负极相连，发射极接地，基极与所述电阻R4的一端相连；所述电阻R4的另一端连接开关信号T/R；所述二极管V5的稳压端与PMOS管V1的栅极相连。5.根据权利要求1所述的PMOS管的高速开关电路，其特征在于，还包括：滤波电容C1，所述滤波电容C1一端与输入电源连接，另一端接地。6.根据权利要求1所述的PMOS管的高速开关电路，其特征在于，所述PMOS管V1的最大漏源电压大于输入电源电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨贤松，郑焘，薛新，刘传洋，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十六研究所，
类型：发明
国别省市：