【技术实现步骤摘要】
一种基于三路径的高线性度栅压自举开关
[0001]本专利技术属于模拟集成电路设计
，具体涉及一种基于三路径的高线性度栅压自举开关。
技术介绍
[0002]随着模拟集成电路的发展以及通信和多媒体市场的快速增长，数字信号处理技术也得到迅猛的发展且需求较高。因为数字信号具有抗干扰能力强、易于集成、功耗小、成本低的综合优势，因此越来越多的模拟信号处理逐渐被数字信号技术所取代。但自然世界中的信号通常以模拟形式存在，如温度、声音等等，都是连续的模拟信号，为了使这些模拟信号能够被数字系统处理，需要将时间上连续的模拟信号转换为离散的数字信号。而模数转换器(ADC)作为模拟信号和数字信号之间重要的桥梁，是集成电路中不可或缺的部分。
[0003]ADC中将连续的输入信号转换为一个个直流信号的过程称为采样保持，通过控制采样开关的闭合和关断来实现。用于采样的开关一般为单管MOS开关，CMOS开关以及栅压自举开关。单管MOS开关以及CMOS开关由于其栅源电压随输入信号的变化导致其导通电阻无法恒定，导致采样过程的非线性。而传统的栅压自举开...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于三路径的高线性度栅压自举开关，其特征在于，包括：第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、负载电容CL以及若干个MOS管，其中，所述MOS管包括NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12和自举开关管MSW，其中PMOS管M10、PMOS管M11以及PMOS管M12尺寸相同，第一电容C1和第二电容C2以及第三电容C3的电容大小相同。所述NMOS管M1的漏极连接自举开关管MSW的源极并作为栅压自举开关电路的输入端；NMOS管M1的栅极连接NMOS管M3的栅极、NMOS管M8的源极、PMOS管M6和PMOS管M7的漏极、NMOS管M10的栅极和NMOS管M11的栅极以及NMOS管M12的栅极；NMOS管M1的源极分别连接电容C1,C2,C3的负端，NMOS管M2的漏极，NMOS管M3的源极和NMOS管M4的源极；所述NMOS管M2的源极连接地，NMOS管M2的栅极连接NMOS管M9管的栅极并作为栅压自举开关的时钟反向信号；所述NMOS管M3的漏极连接NMOS管M4的漏极、PMOS管M5的漏极、NMOS管M6的栅极、NMOS管M7的栅极；所述NMOS管M4的栅极连接NMOS管M5的栅极并作为栅压自举开关的时钟正向信号；所述NMOS管M5的源极连接VDD；所述PMOS管M6的源极连接第二电容C2的正端，所述PMOS管M6的衬底连接第三电容C3的正端；所述PMOS管M7的源极连接第一电容C1的正端，所述PMOS管M7的衬底连接第三电容C3的正端；所述NMOS管M8的漏极连接NMOS管M9的源极，所述NMOS管M8的衬底连接VDD；所述NMOS管M9的漏极连接地；所述PMOS管M10的漏极与PMOS管M11和PMOS管M12的漏极均连接VDD。所...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵汝法，戴佳洪，稅绍林，尹国和，王巍，王冠宇，王育新，王妍，刘建伟，梁宏玉，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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