【技术实现步骤摘要】
多驱动通道高压集成电路和半导体电路
[0001]本专利技术涉及电子电路
，尤其涉及一种多驱动通道高压集成电路和半导体电路。
技术介绍
[0002]高压集成电路，即HVIC(High Voltage Integrated Circuit)，是一种用于把MCU信号转换成驱动IGBT等开关管的驱动信号的集成电路产品。一般来说，高压集成电路把各类开关管、二极管、稳压管、电阻、电容等基础器件集成在一起，形成驱动电路、脉冲生成电路、延时电路、滤波电路、过流保护电路、过热保护电路、欠压保护电路、自举电路等。多驱动通道高压集成电路在工作时，一方面接收外接处理器的控制信号，驱动后续的开关管工作，另一方面，还将相关的工作状态检测信号送回外接处理器，以实现对电路工况的控制。
[0003]相关技术中，高压集成电路包括六通道的驱动电路，驱动电路连接外部的开关管，外部的开关管一般为MOS管或者IGBT管,用于驱动三相逆变电机。所述驱动电路包括高压侧驱动电路和低压侧驱动电路。其中, 所述高压侧驱动电路设有三通道。所述低压侧驱动电路设有三通道...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多驱动通道高压集成电路，其包括上桥驱动信号输入端、下桥驱动信号输入端、驱动电路、互锁与死区电路、高压驱动信号输出端以及低压驱动信号输出端；所述驱动电路包括高压侧驱动电路和低压侧驱动电路；所述上桥驱动信号输入端和所述下桥驱动信号输入端分别连接至所述互锁与死区电路；所述互锁与死区电路的两个输出端分别连接至所述高压侧驱动电路的输入端和所述低压侧驱动电路的输入端；所述高压侧驱动电路输出的输出端连接至所述高压驱动信号输出端；所述高压侧驱动电路设有三通道；所述上桥驱动信号输入端为三个，每一所述上桥驱动信号输入端连接相应的所述高压侧驱动电路的一个通道；所述高压驱动信号输出端通过输出高压驱动信号驱动外部的相对应的开关管；所述低压侧驱动电路的输出端连接至所述低压驱动信号输出端；所述低压驱动信号输出端通过输出低压驱动信号驱动外部的相对应的开关管；所述低压侧驱动电路设有三通道；所述下桥驱动信号输入端为三个，每一所述下桥驱动信号输入端连接相应的所述低压侧驱动电路的一个通道；其特征在于，所述多驱动通道高压集成电路还包括依次电连接的PFC驱动信号输入端、PFC控制器驱动电路和PFC驱动信号输出端，所述PFC控制器驱动电路用于产生PFC驱动信号并根据所述PFC驱动信号驱动外部的PFC控制器；所述PFC控制器驱动电路包括N通道，N≥2；所述PFC驱动信号输入端为N个，每一所述PFC驱动信号输入端连接相应的所述PFC控制器驱动电路的一个通道；每一所述PFC驱动信号输出端通过输出相应的所述PFC驱动信号驱动外部的相对应的所述PFC控制器。2.根据权利要求1所述的多驱动通道高压集成电路，其特征在于，所述PFC控制器驱动电路包括两通道，两通道的所述PFC控制器驱动电路产生两个交错式的所述PFC驱动信号驱动外部的相对应的所述PFC控制器，所述PFC控制器为两个图腾柱PFC控制器。3.根据权利要求2所述的多驱动通道高压集成电路，其特征在于，每一所述PFC控制器驱动电路包括依次电连接的脉冲驱动电路和大电流驱动器；所述脉冲驱动电路用于根据所述PFC驱动信号输入端接收的PFCIN信号，根据所述PFCIN信号的上升沿和下降沿分别产生预设频率的脉冲信号，并将所述脉冲信号放大处理后生成所述PFC驱动信号；所述大电流驱动器包括NMOS驱动管和PMOS驱动管，所述NMOS驱动管的栅极和所述PMOS驱动管的栅极分别用于连接所述脉冲驱动电路的两个输出端，以实现接收所述PFC驱动信号；所述NMOS驱动管的源极接地，所述PMOS驱动管的源极连接至电源电压；所述NMOS驱动管的漏极作为所述大电流驱动器的输出端，且所述NMOS驱动管的漏极连接至所述PMOS驱动管的漏极。4.根据权利要求3所述的多驱动通道高压集成电路，其特征在于，所述多驱动通道高压集成电路还包括依次电连接的PFC过流保护输入端、第二过流保护电路和故障处理模块，所述第二过流保护电路用于判断PFC过流保护输入端输入的电流是否超过预设阈值并产生相应的PFC过流保护信号；所述故障处理模块用于根据所述PFC过流保护信号进行逻辑运算并产生相应的PFC过流处理信号，并将所述PFC过流处理信号发送至每一所述脉冲驱动电路，以实现控制所述脉冲驱动电路的工作状态。5.根据权利要求4所述的多驱动通道高压集成电路，其特征在于，所述第二过流保护电路包括第...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，谢荣才，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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