半导体电路、半导体电路的控制方法以及桥电路技术

本申请实施例提供一种半导体电路、半导体电路的控制方法以及桥电路。所述半导体电路具有：第一电路，其连接开关元件的漏极；第二电路，其连接所述开关元件的门极；第三电路，其连接所述开关元件的源极；以及第四电路，其连接所述开关元件的所述源极；其中，在开关元件被打开的情况下，第四电路被使能(enabled)以使得半导体电路为四端子结构，在开关元件被关闭的情况下，第四电路被去使能(disabled)以使得半导体电路为三端子结构。由此，不仅能够降低开关损失而且能够抑制噪声，并且，还能够抑制反向恢复时的错误动作的产生。反向恢复时的错误动作的产生。反向恢复时的错误动作的产生。

【技术实现步骤摘要】
半导体电路、半导体电路的控制方法以及桥电路


[0001]本申请实施例涉及开关控制
，尤其涉及一种半导体电路、半导体电路的控制方法以及桥电路。

技术介绍

[0002]场效应晶体管(FET，Field Effect Transistor)等开关元件可以具有漏极(D)、门极(G，也称为栅极)以及源极(S)；漏极(D)、门极(G)以及源极(S)分别连接相应的电路，可以形成三端子结构。
[0003]图1是具有三端子结构的半导体电路100的一示意图，如图1所示，开关元件101具有漏极(D)、门极(G)以及源极(S)，分别连接第一电路102、第二电路103和第三电路104；如图1所示，该半导体电路100还具有第一开关电路105和第二开关电路106。
[0004]近年来，在三端子结构的基础上追加用于驱动的独立的源极端子，可以形成四端子结构。具有四端子结构的半导体电路通过从驱动电路消除源极寄生电感的影响，从而能够提高开关速度，由此实现降低开关损失的效果。
[0005]图2是具有四端子结构的半导体电路200的一示意图，如图2所示，开关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路，包括开关元件，其特征在于，所述半导体电路具有：第一电路，其连接所述开关元件的漏极；第二电路，其连接所述开关元件的门极；第三电路，其连接所述开关元件的源极；以及第四电路，其连接所述开关元件的所述源极；其中，在所述开关元件被打开的情况下，所述第四电路被使能以使得所述半导体电路为四端子结构，在所述开关元件被关闭的情况下，所述第四电路被去使能以使得所述半导体电路为三端子结构。2.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，所述第一电路包括第一电感，所述第二电路包括第二电感，所述第三电路包括第三电感，所述第四电路包括第四电感。3.根据权利要求2所述的半导体电路，其中，所述半导体电路还包括：第一开关电路，其与所述第二电路和所述第四电路连接；以及第二开关电路，其与所述第二电路和所述第三电路连接。4.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，所述第三电路的一端与所述开关元件的源极连接，所述第四电路的一端与所述开关元件的源极连接，所述第三电路的另一端与所述第四电路的另一端连接。5.根据权利要求4所述的半导体电路，其中，所述第四电路包括第四电感和第一二极管；所述第四电感的一端连接所述开关元件的源极，另一端连接所述第一二极管的正极；所述第一二极管的负极连接所述第四电路的另一端。6.根据权利要求5所述的半导体电路，其中，所述第三电路包括第三电感、第五电感和第二二极管；所述第三电感的一端连接所述开关元件的源极，另一端连接所述第五电感的一端，所述第五电感的另一端连接所述第二二极管的负极；所述第二二极管的正极连接所述第一二极管的负极。7.根据权利要求5所述的半导体电路，其中，所述第三电路包括第三电感和第五电感；所述第三电感的一端连接所述开关元件的源极，另一端连接所述第五电感的一端，所述第五电感的另一端连接所述第一二极管的负极。8.根据权利要求5至7任一项所述的半导体电路，其中，在所述开关元件被打开的情况下，所述第四电路中具有从所述开关元件的源极经由所述第四电感和所述第一二极管流向所述第四电路的另一端的电流，所述第一二极管使得所述第四电路被使能；在所述开关元件被关闭的情况下，所述第四电路中不具有从所述开关元件的源极经由所述第四电感和所述第一二极管流向所述第四电路的另一端的电流，所述第一二极管使得所述第四电路被去使能。9.根据权利要求4所述的半导体电路，其中，所述第四电路包括第四电感和第四开关电路；所述第四电感的一端连接所述开关元件的源极，另一端连接所述第四开关电路的一端；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：町田修，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：