半导体元件驱动电路及半导体元件驱动装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体元件驱动电路及半导体元件驱动装置，目的在于提供能够降低通断损耗，提高短路耐量的技术。半导体装置具有第1开关和第1驱动器。第1开关基于来自传输电路的同步信号和相对于同步信号而延迟的延迟信号，选择电源电位及生成电位的一者作为第1开关输出电位而输出。第1驱动器基于传输电路的同步信号和第1开关输出电位，对双极晶体管元件的栅极进行充电。极进行充电。极进行充电。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件驱动电路及半导体元件驱动装置


[0001]本专利技术涉及半导体元件驱动电路及半导体元件驱动装置。

技术介绍

[0002]作为半导体元件的驱动，提出有为了改善性能而对将性能不同的功率晶体管组合起来的半导体元件进行驱动的技术。例如，提出了对将作为单极晶体管元件的MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)和作为双极晶体管元件的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)组合起来的半导体元件进行驱动的技术。
[0003]在该驱动中，IGBT影响短路耐量。因此，提出有为了提高短路耐量而使IGBT侧的栅极电压低于MOSFET侧的栅极电压的技术(例如专利文献1)。
[0004]专利文献1：日本特开2017
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28779号公报
[0005]但是，提高短路耐量与降低通断损耗存在折衷的关系。因此，存在以下问题，即，在使IGBT接通的期间，如果始终使IGBT侧的栅极电压低而提高短路耐量，则通断损耗会变高。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件驱动电路，其对双极晶体管元件及单极晶体管元件进行驱动，所述半导体元件驱动电路具有：传输电路，其基于输入信号而生成与所述输入信号同步的同步信号；电位生成电路，其基于电源电位而生成与所述电源电位不同的电位作为生成电位；第1开关，其基于来自所述传输电路的所述同步信号和相对于所述同步信号而延迟的延迟信号，选择所述电源电位及所述生成电位的一者作为第1开关输出电位而输出；第1驱动器，其基于所述传输电路的所述同步信号和所述第1开关输出电位，对所述双极晶体管元件的栅极进行充电；以及第2驱动器，其基于所述电源电位及所述生成电位的一者和所述传输电路的所述同步信号，对所述单极晶体管元件的栅极进行充电。2.根据权利要求1所述的半导体元件驱动电路，其中，所述电位生成电路包含生成比所述电源电位高的升压电位作为所述生成电位的升压电路，所述延迟信号包含来自所述双极晶体管元件的所述栅极的栅极信号，所述第2驱动器基于所述传输电路的所述同步信号和所述生成电位对所述单极晶体管元件的所述栅极进行充电。3.根据权利要求1所述的半导体元件驱动电路，其中，所述电位生成电路包含生成比所述电源电位高的升压电位作为所述生成电位的升压电路，所述半导体元件驱动电路还具有：温度传感器，其基于所述半导体元件驱动电路的温度，将比所述升压电位小且具有负的温度依赖性的电位作为传感器输出电位而输出；以及钳位电路，其在所述传感器输出电位大于或等于所述电源电位的情况下输出所述传感器输出电位，在所述传感器输出电位小于所述电源电位的情况下输出所述电源电位，所述第1开关基于所述同步信号和所述延迟信号，选择从所述钳位电路输出的电位及所述生成电位的一者作为所述第1开关输出电位而输出。4.根据权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：福留淳，外园和也，羽野光隆，寺户悠贵，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：