一种IGBT的驱动电路制造技术

本发明专利技术涉及电力电子产品技术领域，具体涉及一种IGBT的驱动电路，包括储能模块、推挽模块、电感L1、栅极电阻R2以及MOS管Q1；所述驱动电阻R1的一端用于接收PWM信号；所述驱动电阻R1的另一端与推挽模块连接；所述驱动电阻R1的另一端通过储能电容C1与推挽模块连接；所述推挽模块的输出端通过电感L1与MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q1的栅极通过栅极电阻R2与MOS管Q1的源极连接。本发明专利技术通过设置储能模块、推挽模块、电感L1以及栅极电阻R2，系统利用NPN三极管Q2、PNP三极管Q3的线性区原理，PWM驱动信号通过驱动电阻R1给储能电容C1的充电时间来控制NPN三极管Q2、PNP三极管Q3的线性区时间；由于这个驱动电阻R1以及储能电容C1都为贴片型的物料，便于用户进行更换。便于用户进行更换。便于用户进行更换。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT的驱动电路


[0001]本专利技术涉及电力电子产品
，具体涉及一种IGBT的驱动电路。

技术介绍

[0002]随着工业电源的发展，模块化IGBT发展不断应用更加广泛，同时IGBT的驱动电路一般都是采用图腾柱的推挽方式，IGBT等开关元件在关断过程中由于线路电感和基身电容的存在，所以再开通或者关断过程中存在产生驱动尖峰问题，常规的驱动电路如图1以及图2所示。由于模块的IGBT驱动线都有一段线缆，导通和关断都由于有线路电感的存在可能导致驱动有很大的尖峰，常规的做法都是通过更改导通电阻Ron和关断电阻Rof来实现，对于模块型的IGBT的驱动电流都比较大，故导通电阻Ron和关断电阻Rof的选择都会选择功率较大的，2W或以上的电阻作为驱动电阻，该电阻类型为插件型的金属膜电阻。整个系统的应用中通过更改电阻实现所需的驱动波形，这个通过更改电阻相对比较麻烦，同时如果驱动板是焊接在IGBT中，插件型拆和焊接都会是更加困难的事情。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是针对现有技术中的上述不足，提供了一种IGBT的驱动电路。
[0004]本专利技术的目的通过以下技术方案实现：一种IGBT的驱动电路，包括储能模块、推挽模块、电感L1、栅极电阻R2以及MOS管Q1；
[0005]所述储能模块包括驱动电阻R1以及储能电容C1；所述驱动电阻R1的一端用于接收PWM信号；所述驱动电阻R1的另一端与推挽模块的控制端连接；所述驱动电阻R1的另一端通过储能电容C1与推挽模块的负电平端连接；所述推挽模块的输出端通过电感L1与MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q1的栅极通过栅极电阻R2与MOS管Q1的源极连接。
[0006]本专利技术进一步设置为，所述推挽模块包括NPN三极管Q2以及PNP三极管Q3；所述NPN三极管Q2的基极以及PNP三极管Q3的基极分别与驱动电阻R1的另一端连接；所述NPN三极管Q2的发射极以及PNP三极管Q3的发射极分别通过电感L1与MOS管Q1的栅极连接；所述NPN三极管Q2的集电极与正电平电源连接；所述PNP三极管Q3的集电极与负电平电源连接。
[0007]本专利技术进一步设置为，所述IGBT的驱动电路还包括电容C2；所述NPN三极管Q2的集电极通过电容C2接地。
[0008]本专利技术进一步设置为，所述MOS管Q1的源极接地。
[0009]本专利技术进一步设置为，所述推挽模块为带推挽输出能力的驱动芯片或带推挽输出能力的光耦器件。
[0010]本专利技术的有益效果：本专利技术通过设置储能模块、推挽模块、电感L1以及栅极电阻R2，系统利用NPN三极管Q2、PNP三极管Q3的线性区原理，PWM驱动信号通过驱动电阻R1给储能电容C1的充电时间来控制NPN三极管Q2、PNP三极管Q3的线性区时间，线路电感越大，系统通过给电容充电越快，通过充电时间的长短来从而控制线性区的时间长短；可以通过更改驱动电阻R1或者储能电容C1来实现NPN三极管Q2、PNP三极管Q3的线性工作区时间；由于这
个驱动电阻R1以及储能电容C1都为贴片型的物料，便于用户进行更换。
附图说明
[0011]利用附图对专利技术作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本专利技术的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。
[0012]图1是传统的IGBT的驱动电路；
[0013]图2是另一种传统的IGBT的驱动电路；
[0014]图3是本专利技术的电路图。
具体实施方式
[0015]结合以下实施例对本专利技术作进一步描述。
[0016]由图3可知，本实施例所述的一种IGBT的驱动电路，包括储能模块、推挽模块、电感L1、栅极电阻R2以及MOS管Q1；
[0017]所述储能模块包括驱动电阻R1以及储能电容C1；所述驱动电阻R1的一端用于接收PWM信号；所述驱动电阻R1的另一端与推挽模块的控制端连接；所述驱动电阻R1的另一端通过储能电容C1与推挽模块的负电平端连接；所述推挽模块的输出端通过电感L1与MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q1的栅极通过栅极电阻R2与MOS管Q1的源极连接。
[0018]本实施例所述的一种IGBT的驱动电路，所述推挽模块包括NPN三极管Q2以及PNP三极管Q3；所述NPN三极管Q2的基极以及PNP三极管Q3的基极分别与驱动电阻R1的另一端连接；所述NPN三极管Q2的发射极以及PNP三极管Q3的发射极分别通过电感L1与MOS管Q1的栅极连接；所述NPN三极管Q2的集电极与正电平电源连接；所述PNP三极管Q3的集电极与负电平电源连接。
[0019]具体地，本实施例所述的IGBT的驱动电路，为了实现输出导通或者关断时间的控制，从而产生驱动尖峰问题，本实施例通过设置储能模块、推挽模块、电感L1以及栅极电阻R2，系统利用NPN三极管Q2、PNP三极管Q3的线性区原理，PWM驱动信号通过驱动电阻R1给储能电容C1的充电时间来控制NPN三极管Q2、PNP三极管Q3的线性区时间，线路电感越大，系统通过给电容充电越快，通过充电时间的长短来从而控制线性区的时间长短；本实施例可以通过更改驱动电阻R1或者储能电容C1来实现NPN三极管Q2、PNP三极管Q3的线性工作区时间；由于这个驱动电阻R1以及储能电容C1都为贴片型的物料，便于用户进行更换。
[0020]本实施例所述的一种IGBT的驱动电路，所述IGBT的驱动电路还包括电容C2；所述NPN三极管Q2的集电极通过电容C2接地。通过上述设置便于IGBT的驱动电路对MOS管Q1进行驱动。
[0021]本实施例所述的一种IGBT的驱动电路，所述MOS管Q1的源极接地。通过上述设置便于IGBT的驱动电路对MOS管Q1进行驱动。
[0022]本实施例所述的一种IGBT的驱动电路，所述推挽模块为带推挽输出能力的驱动芯片或带推挽输出能力的光耦器件。
[0023]最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案，而非对本专利技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本专利技术作了详细地说明，本领域的普通技术人员应
当理解，可以对本专利技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本专利技术技术方案的实质和范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT的驱动电路，其特征在于：包括储能模块、推挽模块、电感L1、栅极电阻R2以及MOS管Q1；所述储能模块包括驱动电阻R1以及储能电容C1；所述驱动电阻R1的一端用于接收PWM信号；所述驱动电阻R1的另一端与推挽模块的控制端连接；所述驱动电阻R1的另一端通过储能电容C1与推挽模块的负电平端连接；所述推挽模块的输出端通过电感L1与MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q1的栅极通过栅极电阻R2与MOS管Q1的源极连接。2.根据权利要求1所述的一种IGBT的驱动电路，其特征在于：所述推挽模块包括NPN三极管Q2以及PNP三极管Q3；所述NPN三极管Q2的基极以及PNP三极管Q3的基极...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘湘，罗万里，廖晓斌，盛建科，王正云，
申请(专利权)人：湖南福德电气有限公司株洲福德轨道交通研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：