一种磁性存储单元及磁性存储器制造技术

本发明专利技术公开一种磁性存储单元及磁性存储器，其中一种磁性存储单元包括上电极、钉扎层、耦合层、固定磁性层、隧穿势垒层、自由磁性层和下电极，上电极、钉扎层、耦合层、固定磁性层、隧穿势垒层、自由磁性层和下电极依次堆叠设置，耦合层用于使得固定磁性层和钉扎层形成反铁磁耦合，钉扎层用于消除固定磁性层对自由磁性层的杂散场，且钉扎层内设置有材料掺杂区。通过设置钉扎层能够消除固定磁性层对自由磁性层的杂散场，在钉扎层内设置材料掺杂区，能够使得自由磁性层所受杂散场在温度变化下始终保持很小的值。保持很小的值。保持很小的值。

【技术实现步骤摘要】
一种磁性存储单元及磁性存储器


[0001]本专利技术涉及磁性存储器
，特别涉及一种磁性存储单元及磁性存储器。

技术介绍

[0002]磁性随机存储器(Magnetic Random Access Memory，MRAM)被认为是未来的固态非易失性记忆体，它具有高速读写、大容量以及低能耗等特点。磁性随机存储器会产生杂散场，杂散场会给磁性随机存储器造成不利影响。相关技术中，通过增加多层人工反铁磁层减少杂散场。但温度对杂散场的影响很大，该相关技术无法消除在MRAM中温度依存性的杂散场，无法使杂散场在温度变化下始终保持很小的值。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要提供一种磁性存储单元及磁性存储器，能够解决相关技术中无法消除在MRAM中温度依存性的杂散场，无法使杂散场在温度变化下始终保持很小的值的技术问题。
[0004]本专利技术提供的一种磁性存储单元，包括上电极、钉扎层、耦合层、固定磁性层、隧穿势垒层、自由磁性层和下电极，所述上电极、所述钉扎层、所述耦合层、所述固定磁性层、所述隧穿势垒层、所述自由磁性层和所述下电极依次本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁性存储单元，其特征在于，包括上电极、钉扎层、耦合层、固定磁性层、隧穿势垒层、自由磁性层和下电极，所述上电极、所述钉扎层、所述耦合层、所述固定磁性层、所述隧穿势垒层、所述自由磁性层和所述下电极依次堆叠设置，所述耦合层用于将所述固定磁性层和所述钉扎层形成反铁磁耦合，所述钉扎层用于消除所述固定磁性层对所述自由磁性层的杂散场，且所述钉扎层内设置有材料掺杂区。2.根据权利要求1所述的磁性存储单元，其特征在于，所述材料掺杂区设置为多个，多个所述材料掺杂区均匀布设于所述钉扎层内。3.根据权利要求1所述的磁性存储单元，其特征在于，所述材料掺杂区为合金材料。4.根据权利要求1所述的磁性存储单元，其特征在于，所述材料掺杂区的材料包括钒、铬、铜、铌、钼、钌、铑、钽、钨、铼、铱、铌、锆、钇、铁、镍、钴、硼、碳、氮、氧、钕、铕、钆、铽...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱政，李尚坤，李岳陞，吴迪，
申请(专利权)人：苏州凌存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：