【技术实现步骤摘要】
磁存储装置及磁存储装置的制造方法
[0001]本申请享受以日本专利申请2021
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146822号(申请日：2021年9月9日)及美国专利申请17/691652(申请日：2022年3月10日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
[0002]实施方式概括而言涉及磁存储装置。
技术介绍
[0003]作为存储装置的一种，已知有磁存储装置。磁存储装置使用包含了发挥磁阻效应的元件的存储单元来存储数据。为了提高磁存储装置的特性，希望存储单元具有高的电特性。
技术实现思路
[0004]本专利技术要解决的课题在于，提供一种包含具有高的电特性的存储单元的磁存储装置。
[0005]一个实施方式涉及的磁存储装置包括第1导电体、第1绝缘体、第2导电体、可变电阻材料、第3导电体、第1铁磁性层、绝缘层、第2铁磁性层、第4导电体、第2绝缘体以及第3绝缘体。上述第1导电体实质上由非磁性的非氮材料形成。上述第1绝缘体覆盖上述第1导电体的侧面，实质上由非氮材料形成。上述第2导电体位于上述第1导电体上，实质上由非磁性的非氮材料形成。上述可变电阻材料位于上述第2导电体上。上述第3导电体位于上述可变电阻材料上，实质上由非磁性的非氮材料形成。上述第1铁磁性层位于上述第3导电体上。上述绝缘层位于上述第1铁磁性层上。上述第2铁磁性层位于上述绝缘层上。上述第4导电体位于上述第2铁磁性层上，实质上由非磁性的非氮材料形成。上述第2绝缘体覆盖上述第1铁磁性层的侧面、上述绝缘层的侧面、上述第...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁存储装置，具备：实质上由非磁性的非氮材料形成的第1导电体；覆盖所述第1导电体的侧面且实质上由非氮材料形成的第1绝缘体；所述第1导电体上的、实质上由非磁性的非氮材料形成的第2导电体；所述第2导电体上的可变电阻材料；所述可变电阻材料上的、实质上由非磁性的非氮材料形成的第3导电体；所述第3导电体上的第1铁磁性层；所述第1铁磁性层上的绝缘层；所述绝缘层上的第2铁磁性层；所述第2铁磁性层上的、实质上由非磁性的非氮材料形成的第4导电体；覆盖所述第1铁磁性层的侧面、所述绝缘层的侧面以及所述第2铁磁性层的侧面且实质上由非氮材料形成的第2绝缘体；以及所述第2绝缘体的表面上的第3绝缘体。2.根据权利要求1所述的磁存储装置，所述第1导电体、所述第2导电体、所述第3导电体以及所述第4导电体实质上由具有1800度以上的熔点的材料形成。3.根据权利要求1所述的磁存储装置，所述第1导电体、所述第2导电体、所述第3导电体以及所述第4导电体实质上由铪、钽、钨、锆、铌、钼、钛、钒、铬、硅、硼、碳中的一种以上形成。4.根据权利要求1所述的磁存储装置，所述第2绝缘体实质上由具有
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1.5以下的标准电极电位的氧化物形成。5.根据权利要求1所述的磁存储装置，所述第2绝缘体实质上由第1种元素的氧化物的一种以上或者包含所述第1种元素的两种以上的物质的氧化物形成，所述第1种元素是铍、镁、铝、硅、钙、钪、钒、锌、镓、锗、锶、钇、锆、钡、铪、镧、铯、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥。6.根据权利要求1所述的磁存储装置，所述第1绝缘体实质上由硅氧化物形成。7.根据权利要求1所述的磁存储装置，所述第1绝缘体在所述第2导电体所处的第1侧的第1面，向与所述第1侧相反的第2侧弯曲，所述第1导电体在所述第2导电体所处的第3侧的角，朝向与所述第3侧相反的第4侧弯曲。8.根据权利要求7所述的磁存储装置，所述第2绝缘体覆盖所述第3导电体的侧面、所述可变电阻材料的侧面、所述第2导电体的侧面、所述第1导电体的所述角以及所述第1绝缘体的所述第1面。9.根据权利要求1～8中任一项所述的磁存储装置，所述第3绝缘体包含硅氮化物。10.一种磁存储装置，具备：
实质上由非氮材料形成的第1导电体；覆盖所述第1导电体的侧面且实质上由非氮材料形成的第1绝缘体；所述第1导电体上的第1铁磁性层；所述第1铁磁性层上的绝缘层；所述绝缘层上的第2铁磁性层；所述第2铁磁性层上的、实质上由非磁性的非氮材料形成的第2导电体；覆盖所述第1铁磁性层的侧面、所述绝缘层的侧面以及所...
【专利技术属性】
技术研发人员：泽田和也，永濑俊彦，吉野健一，富冈和广，秋山直纪，岛野拓也，相川尚德，五十岚太一，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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