本申请提供的三维结构，包括基底、隔离结构、第一周期性材料层、第一隔离层、第二周期性材料层、第二隔离层、第一电极和第二电极；隔离结构形成于基底上，隔离结构具有至少一个凹槽；第一周期性材料层形成于凹槽内，并与隔离结构形成一个平面；第一隔离层...

本申请提供一种三维结构和制备方法。本申请提供的三维结构，包括：基底、至少一个台阶型结构、周期性材料层、隔离层、第一电极和第二电极；其中，台阶型结构形成于基底上，从远离基底的方向来看，台阶型结构与基底围设成一个下小上大的凹槽；周期性材料层...

本申请提供一种三维结构及三维结构的制备方法。本申请提供的三维结构，包括基底、隔离结构、周期性材料层、隔离层、第一电极和第二电极；隔离结构形成于基底上，隔离结构具有至少一个凹槽；从远离基底的方向来看，凹槽至少在短边方向上呈现为下小上大的形...

本申请提供的三维结构，包括：基底和多个电容器结构，每个电容器结构包括隔离结构、周期性材料层、隔离层、第一电极和第二电极；其中，隔离结构具有凹槽；从远离基底的方向来看，凹槽至少在短边方向上呈现为下小上大的形貌；周期性材料层形成于凹槽内，以...

本发明涉及电压控制磁性随机存取存储器领域，具体涉及一种电压控制磁性随机存取存储器的脉冲写入电路及写入方法，包括：电压控制磁性随机存取存储器；采集单元；写入单元；脉冲单元；写入单元用于向电压控制磁性随机存取存储器施加写入电压；采集单元用于...

本发明涉及电压控制磁阻随机存取存储器领域，具体涉及一种电压控制磁阻随机存取存储器及其读取控制方法，包括：第一比较电路、第一磁隧道结和第二磁隧道结；第一磁隧道结与第一比较电路的第一输入端相连，第二磁隧道结与第一比较电路的第二输入端相连；第...

本发明提供一种半导体存储单元、阵列、器件及其制备方法，该半导体存储单元包括，磁性材料叠层，包括从下至上依次叠置的第一磁性层、隧穿势垒层和第二磁性层；与第一磁性层连接的第一接触件；叠置在磁性材料叠层上的第三磁性层；与第三磁性层直接接触的第...

本申请提供一种磁性随机存储器及制备方法。本申请提供的磁性随机储存器包括衬底和形成在衬底上的多个磁性隧道结阵列，按照远离衬底的方向，每个磁性隧道结阵列中的各个磁性隧道结的膜堆结构依次包括参考层、阻挡层和自由层；每个磁性隧道结阵列中的各个磁...

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种异值性压控磁性原始随机字串发生器系统及其控制方法。该发生器包括：熵源，包括多个异值性的VC

本发明涉及半导体领域，提供一种半导体器件及其制备方法，包括：磁性材料层，所述磁性材料层包括磁性隧道结或磁性自旋阀；第一电极，所述第一电极直接或间接设置于所述磁性材料层的第一表面；第二电极，所述第二电极直接或间接设置于与所述磁性材料层的第...

本发明公开一种磁性多层膜及磁性存储器，其中，一种磁性多层膜包括第一磁性层和磁性存储器件，磁性存储器件包括第二磁性层和磁性存储单元，第二磁性层与第一磁性层叠层设置，磁性存储单元与第二磁性层背离第一磁性层的一侧的界面叠层设置，第一磁性层的尺...

本发明公开一种磁性存储单元及磁性存储器，其中一种磁性存储单元包括上电极、钉扎层、耦合层、固定磁性层、隧穿势垒层、自由磁性层和下电极，上电极、钉扎层、耦合层、固定磁性层、隧穿势垒层、自由磁性层和下电极依次堆叠设置，耦合层用于使得固定磁性层...

本发明公开了一种集成传感器，基于动态电压控制，包括：磁传感器形成为具有磁各向异性的磁性多层膜结构；驱动器为磁传感器提供磁化方向转换条件；检测器检测磁传感器磁场转换方向状态转换为电信号；反馈控制单元，其用于记录磁传感器磁场转换方向状态统计...

本发明公开了一种磁性多层膜结构，包括：形成在缓冲层或种子层上的第一多层结构；所述第一多层结构包括顺序布置的：参考层、非磁性中间层、自由层和耦合层；其中，耦合层和自由层通过界面的反铁磁或铁磁耦合，耦合层和自由层的磁矩方向反平行或平行排列，...

本发明公开了一种真随机数发生器，其形成为上电极和下电极之间的多层结构，所述多层结构自上向下包括：钉扎层，其形成在所述多层结构的第一层；固定磁性层，其形成在所述钉扎层下方；隧穿势垒层，其形成在所述固定磁性层下方；自由磁性层，其形成在所述隧...