一种三维结构制造技术

本申请提供的三维结构，包括：基底和多个电容器结构，每个电容器结构包括隔离结构、周期性材料层、隔离层、第一电极和第二电极；其中，隔离结构具有凹槽；从远离基底的方向来看，凹槽至少在短边方向上呈现为下小上大的形貌；周期性材料层形成于凹槽内，以填充凹槽、并与隔离结构形成一个平面；隔离层形成于平面上；隔离层内部形成有第一导线组及第二导线组，第一导线组连接周期性材料层中的奇数级电极层，第二导线组连接周期性材料层中的偶数级电极层；第一电极通过第一导线组与奇数级电极层连接；第二电极通过第二导线组与偶数级电极层连接。相邻两个电容器结构的第一电极电连接，相邻两个电容器结构的第二电极电连接。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电子电器，尤其涉及一种三维结构。

技术介绍

1、电容器作为集成电路中的无源器件，扮演着储存电荷和调整电路性能的重要角色，为满足不同电子设备和电路对储存电荷和提供电能的需求，研究人员进行了多种尝试以增加电容器的容量。一种常见的策略是使用高介电常数的材料作为电容器的介电层。然而采用高介电常数材料虽然能够提升电容器的容量，但高介电常数的材料在高压下易产生明显的形变，会影响电容器的稳定性，无法满足不同应用场景下的使用要求。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种三维结构，用以在保证稳定的前提下，有效提升三维电容器的容量。

2、具体地，本申请是通过如下技术方案实现的：

3、本申请第一方面提供一种三维结构，所述三维结构包括基底和多个电容器结构，其中，

4、按照远离所述基底的方向，所述多个电容器结构依序形成于所述基底之上；

5、每个所述电容器结构包括隔离结构、周期性材料层、隔离层、第一电极和第二电极；其中，

6、所述隔离结构具有凹槽；从远离所述基底的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三维结构，其特征在于，所述三维结构包括基底和多个电容器结构，其中，

2.根据权利要求1所述的三维结构，其特征在于，至少一个所述电容器结构的隔离结构上的凹槽在长边上的至少一个侧面为上升的斜坡，以使该凹槽在短边方向上呈现为下小上大的形貌。

3.根据权利要求1所述的三维结构，其特征在于，至少一个电容器结构的隔离结构上的凹槽在长边上的至少一个侧面为上升的阶梯，以使该凹槽在短边方向上呈现为下小上大的形貌。

4.根据权利要求1所述的三维结构，其特征在于，所述基底和每个所述电容器结构的隔离结构的材料相同；

5.根据权利要求1所述的三维结构，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种三维结构，其特征在于，所述三维结构包括基底和多个电容器结构，其中，

2.根据权利要求1所述的三维结构，其特征在于，至少一个所述电容器结构的隔离结构上的凹槽在长边上的至少一个侧面为上升的斜坡，以使该凹槽在短边方向上呈现为下小上大的形貌。

3.根据权利要求1所述的三维结构，其特征在于，至少一个电容器结构的隔离结构上的凹槽在长边上的至少一个侧面为上升的阶梯，以使该凹槽在短边方向上呈现为下小上大的形貌。

4.根据权利要求1所述的三维结构，其特征在于，所述基底和每个所述电容器结构的隔离结构的材料相同；

5.根据权利要求1所述的三维结构，其特征在于，至少一个所述电容器结构的隔离结构的凹槽在长边上的两个侧面均为上升的斜坡或上升的阶梯，该电容器结构的周期性材料层的奇数级电极层和偶数级电极层位于所述两个侧面的不同侧或同一侧。

6.根据权利要求1所述的三维结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴迪，陈劲中，
申请(专利权)人：苏州凌存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：