一种基于自旋涡度耦合的自旋电子学器件制造技术

本发明专利技术公开了一种高效的Si/SiO2/Ni

【技术实现步骤摘要】
一种基于自旋涡度耦合的自旋电子学器件


[0001]本专利技术属于自旋电子学器件制备领域，具体涉及一种高效的自旋轨道矩产生器件及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]数据存储和处理器件的发展是推动信息工业进步的关键。近年来，通过利用重金属和磁性薄膜界面的自旋
‑
轨道耦合(spin
‑
orbit coupling，SOC)效应，将电荷电流转换为自旋电流(自旋霍尔效应，SHE)，产生自旋
‑
轨道矩(SOT)，被认为是实现磁化翻转的一种高效途径。此外，基于SOC和反对称交换作用(DMI)的手性磁结构(如手性N
é
el磁畴壁和斯格明子)为实现高速度、高密度磁存储开辟了新的途径。然而，目前SOC效应产生的物理现象的数值往往比较小(如常见重金属Pt的电荷流/自旋流转化效率—自旋霍尔角只有0.068)，而且不适合大批量生产器件。
[0003]传统观点认为，轻金属元素由于弱的自旋轨道耦合被认为产生的SOT几乎可以忽略不记，但是最近理论研究和部分实验证明自然且非完全氧化的轻金属Cu本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于自旋涡度耦合的高效的Si/SiO2/Ni
81
Fe
19
/Cu
‑
CuO
x
/TaN自旋电子学器件，其结构依次包括：基片、铁磁层、非磁性层、保护层，所述磁性层为Ni
81
Fe
19
层；其特征在于：所述非磁性层为轻金属氧化物层。2.根据权利要求1所述的Si/SiO2/Ni
81
Fe
19
/Cu
‑
CuO
x
/TaN自旋电子学器件，其特征在于：所述自旋电子学器件的结构依次包括：Si/SiO2基片、Ni
81
Fe
19
层、Cu
‑
CuO
x
层、TaN层。3.根据权利要求1或2所述的Si/SiO2/Ni
81
Fe
19
/Cu
‑
CuO
x
/TaN自旋电子学器件，其特征在于：Cu
‑
CuO
x<...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔彬，胡季帆，安泰宇，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：