成膜装置制造方法及图纸

技术编号:37110173 阅读:14 留言:0更新日期:2023-04-01 05:08
本发明专利技术提供一种成膜装置,其减低成膜材料附着于腔室内而维护性得到提高。实施方式的成膜装置(D)包括:腔室(1),能够使内部为真空;成膜部(4a~4d、4f、4g),具有包含成膜材料的靶材(61),在所述腔室内,通过溅射而使成膜材料堆积于工件(W)上来进行成膜;隔断构件(9),与靶材(61)空开间隔地配置,形成用于利用成膜部(4a~4d、4f、4g)进行成膜的成膜室(S),并将腔室(1)内的成膜室(S)与外部隔断;以及抑制部(104),设置于靶材(61)与隔断构件(9)之间,并抑制成膜材料附着于腔室(1)的内表面。抑制成膜材料附着于腔室(1)的内表面。抑制成膜材料附着于腔室(1)的内表面。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置


[0001]本专利技术涉及一种成膜装置。

技术介绍

[0002]在半导体或显示器(display)或者光盘(optical disk)等各种产品的制造工序中,有时要在例如晶片(wafer)或玻璃(glass)基板等工件(work)上形成光学膜等薄膜。薄膜可通过对工件形成金属等的膜的成膜以及对所形成的膜反复进行蚀刻(etching)、氧化或氮化等膜处理而制作。
[0003]成膜及膜处理可利用各种方法来进行,作为其一,有使用等离子体的方法。在成膜时,向配置有靶材(target)的真空容器即腔室内导入惰性气体,并施加直流电压。使等离子体化的惰性气体的离子(ion)碰撞到靶材,使从靶材撞出的材料堆积于工件上来进行成膜。在膜处理中,向配置有电极的腔室内导入工艺气体(process gas),对电极施加高频电压。使等离子体化的工艺气体的离子碰撞到工件上的膜,由此进行膜处理。
[0004]有一种成膜装置(例如,参照专利文献1),其在一个腔室的内部设置有旋转平台(table),并在支撑有靶材的腔室的顶面即旋转平台的上方构成由被称为屏蔽构件的隔断构件隔断所得的多个成膜室、膜处理室,以便能够连续地进行此种成膜与膜处理。在此种成膜装置中,通过将工件保持于旋转平台上来搬运,并使其通过成膜部与膜处理部的正下方,从而可形成光学膜等。
[0005][现有技术文献][0006][专利文献][0007][专利文献1]日本专利特开2019

49018号公报

技术实现思路

[0008][专利技术所要解决的问题][0009]在如上所述的成膜装置中,形成成膜室的隔断构件被保持为在与支撑有靶材的腔室的顶面之间空开间隙。即,会在靶材与隔断构件之间产生间隙。于是,从靶材飞散来的成膜材料会从所述间隙泄漏而飞散到腔室内的成膜室的外部,并附着于顶面等腔室内表面。于是,由于成膜材料会附着于腔室内表面而生成膜,因此会耗费去除膜的功夫,维护性恶化。因此,要求减低成膜材料附着于腔室内表面而提高维护性。
[0010]本专利技术的实施方式的目的在于提供一种成膜装置,其减低成膜材料附着于腔室内表面而维护性得到提高。
[0011][解决问题的技术手段][0012]为了达成所述目的,本专利技术的实施方式的成膜装置设置有:腔室,能够使内部为真空;成膜部,具有包含成膜材料的靶材,在所述腔室内,通过溅射而使成膜材料堆积于工件上来进行成膜;隔断构件,与所述靶材空开间隔地配置,形成用于利用所述成膜部进行成膜的成膜室,并将所述腔室内的所述成膜室与外部隔断;以及抑制部,设置于所述靶材与所述
隔断构件之间,并抑制成膜材料附着于所述腔室的内表面。
[0013][专利技术的效果][0014]通过本专利技术的实施方式的成膜装置,可减低成膜材料附着于腔室内表面而提高维护性。
附图说明
[0015]图1是示意性地表示实施方式的成膜装置的结构的透视平面图。
[0016]图2是图1的A

A剖面图。
[0017]图3是表示图1的实施方式的隔断构件的顶面侧的立体图。
[0018]图4是表示图1的实施方式的包围构件的底面侧的立体图。
[0019]图5是表示图2的靶材周边的包围构件及隔断构件的放大剖面图。
[0020]图6是表示图5的包围构件的周边的放大剖面图。
[0021]图7的(A)是表示成膜粒子的附着形态的实施方式的说明图,图7的(B)是现有技术的说明图。
[0022]图8是表示抑制部的变形例的剖面图。
[0023]图9是表示包围构件的变形例的立体图。
[0024]图10是表示包围构件的变形例的剖面图。
[0025][符号的说明][0026]1:腔室
[0027]1a:盖体
[0028]2:排气部
[0029]3:旋转平台
[0030]3a:保持部
[0031]3b:旋转轴
[0032]3c:支柱
[0033]3d:滚珠轴承
[0034]4a、4b、4c、4d、4f、4g:处理部(成膜部)
[0035]4e:处理部(膜处理部)
[0036]5:加载互锁部
[0037]6:溅射源
[0038]61:靶材
[0039]62:背板
[0040]63:电极
[0041]7:DC电源
[0042]8:溅射气体导入部
[0043]9:隔断构件
[0044]91:开口
[0045]92:顶面部
[0046]92a:靶材孔
[0047]92b:相向面
[0048]93:侧面部
[0049]93a:外周壁
[0050]93b:内周壁
[0051]93c:分隔壁
[0052]93d:分隔壁
[0053]94:凹部
[0054]95:抑制部
[0055]10:筒形电极
[0056]11:开口部
[0057]12:外部屏蔽
[0058]13:内部屏蔽
[0059]14:凸缘
[0060]15:RF电源
[0061]16:工艺气体导入部
[0062]20:控制部
[0063]21:匹配器
[0064]100:包围构件
[0065]101:开口
[0066]102:相向面
[0067]103:凸部
[0068]104:抑制部
[0069]105:倾斜面
[0070]106:槽
[0071]107:导通部
[0072]α:倾斜角
[0073]d:宽度
[0074]D:成膜装置
[0075]G1、G2、G3:间隔
[0076]P:支撑部
[0077]IP:内周支撑部
[0078]OP:外周支撑部
[0079]L:搬运路
[0080]PA:溅射粒子
[0081]S:成膜室
[0082]W:工件
具体实施方式
[0083][结构][0084]参照附图来具体说明本专利技术的实施方式。
[0085][腔室][0086]如图1及图2所示,成膜装置D具有腔室1。腔室1是大致圆筒形状的有底的容器。腔室1能够使内部为真空,并具有能够对上部进行开闭的盖体1a。盖体1a是圆形的板状构件,对腔室1的上部进行气密密封。另外,在腔室1中设置有排气部2,能够将腔室1的内部排气成真空。即,腔室1作为真空容器发挥功能。
[0087][搬运部][0088]在腔室1内,作为以圆周的轨迹对工件W进行旋转搬运的搬运部而设置有旋转平台3。即,中空的旋转轴3b贯穿腔室1的底部而竖立设置在腔室1的内部,在旋转轴3b上安装有大致圆形的旋转平台3。在旋转轴3b上连结有未图示的驱动机构。通过驱动机构的驱动,旋转平台3以旋转轴3b为中心而旋转。在中空的旋转轴3b的内部配置有不动本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种成膜装置,其特征在于,包括:腔室,能够使内部为真空;成膜部,具有包含成膜材料的靶材,在所述腔室内,通过溅射而使成膜材料堆积于工件上来进行成膜;隔断构件,与所述靶材空开间隔地配置,形成用于利用所述成膜部进行成膜的成膜室,并将所述腔室内的所述成膜室与外部隔断;以及抑制部,设置于所述靶材与所述隔断构件之间,并抑制成膜材料附着于所述腔室的内表面。2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,设置有包围构件,所述包围构件是设置于所述靶材与所述隔断构件之间的板状体,且通过形成使所述靶材露出的开口来包围所述靶材的周围,所述抑制部是在所述开口的沿着所述靶材的外周的位置厚度增加后的部分。3.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,所述抑制部是在所述隔断构件中的所述靶材的附近以使所述靶材与所述隔断构件的间隔变窄的方式突出的部分。4.根据权利要求2或3所述的成膜装置,其特征在于,所述抑制部具有因朝向远...

【专利技术属性】
技术研发人员:小野大祐加茂克尚青山祐士藤田笃史吉村浩司伊藤昭彦
申请(专利权)人:芝浦机械电子装置株式会社
类型:发明
国别省市:

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