一种高散热混合基板制作方法及半导体结构技术

本申请公开了一种高散热混合基板制作方法及半导体结构，其中方法包括以下步骤：准备一母基板；所述母基板包括绝缘层以及临时载板；所述绝缘层与所述临时载板压合；在所述母基板上设置若干个第一沟槽以及若干个第一腔体；在所述第一沟槽填充导热材料，形成第一导热块，以及，在所述第一腔体内贴装嵌埋器件并填充导热材料，形成第二导热块；去除所述临时载板，得到半成品基板；在所述半成品基板相对的两侧表面上制作线路层，得到目标母基板；沿着所述区域分割线切割所述目标母基板，得到侧面为导热面的混合基板；本方法可以得到散热性能更好的混合基板；本申请可广泛应用于集成电路制造技术领域内。路制造技术领域内。路制造技术领域内。

【技术实现步骤摘要】
一种高散热混合基板制作方法及半导体结构


[0001]本申请涉及集成电路制造
，尤其是一种高散热混合基板制作方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]混合基板，是指包括线路以及嵌埋封装器件的基板。嵌埋封装技术是把电阻、电容、电 感等被动元件甚至是IC芯片等主动器件埋入到封装基板内部；为了满足嵌埋封装技术的散热 要求，现有技术中，很多基板在嵌埋封装器件的背面设计导热铜柱和散热铜块，以提高基板 的散热能力；但是随着电子技术的不断发展，产品尺寸逐步小型化，基板的集成度越来越高， 嵌埋封装器件在基板上会产生更多的热量，基板对于器件散热需求更高，常用嵌埋封装的基 板不能满足新的散热需求；因此，亟需一种新的混合基板制作方法。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0004]为此，本申请实施例的一个目的在于提供一种高散热混合基板制作方法及半导体结构， 该方法可以得到相比传统基板散热性能更好的混合基板。
[0005]为了达到上述技术目的，本申请实施例所采取的技术方案包括：准备一母基板；所述母 基板包括绝缘层以及临时载板；所述绝缘层与所述临时载板压合；在所述母基板上设置若干 个第一沟槽以及若干个第一腔体；所述母基板包括若干个子基板以及区域分割线；所述子基 板至少包括一个所述第一腔体；所述第一沟槽横跨两个相邻的所述子基板设置；所述区域分 割线用于将所述第一沟槽在垂直于所述母基板方向上的投影图形分割为两部分；所述第一沟 槽以及所述第一腔体在垂直于所述母基板的方向上均贯穿所述绝缘层；在所述第一沟槽填充 导热材料，形成第一导热块，以及，在所述第一腔体内贴装嵌埋器件并填充导热材料，形成 第二导热块；去除所述临时载板，得到半成品基板；在所述半成品基板相对的两侧表面上制 作线路层，得到目标母基板；沿着所述区域分割线切割所述目标母基板，得到侧面为导热面 的混合基板。
[0006]另外，根据本专利技术中上述实施例的一种高散热混合基板制作的方法，还可以有以下附加 的技术特征：
[0007]进一步地，本申请实施例中，所述在所述第一沟槽填充导热材料，形成第一导热块这一 步骤，具体包括：采用丝印的方式在所述第一沟槽填充导热材料，以形成第一导热块或者将 干膜型的高导热材料进行压合后填充至所述第一沟槽，以形成第一导热块。
[0008]进一步地，本申请实施例中，所述在所述半成品基板相对的两侧表面上制作线路层，得 到目标母基板这一步骤，具体包括：制作第一导通孔；所述第一导通孔用于导通所述半成品 基板的两侧表面上的第一线路层以及第二线路层；在所述半成品基板的一侧表面上制作所述 第一线路层，以及制作与所述第一线路层导通的第三线路层；在所述半成品基板与一侧表面 相对的另一侧表面上制作所述第二线路层，以及制作与所述第二线路层导
通的第四线路层。
[0009]进一步地，本申请实施例中，所述在所述半成品基板的一侧表面上制作所述第一线路层 这一步骤，具体包括：制作第一金属种子层；在所述第一金属种子层上压合光阻材料；对所 述光阻材料进行曝光显影以及蚀刻工艺，得到第一线路层。
[0010]进一步地，本申请实施例中，所述导热材料包括氧化铝、氧化铍、氮化铝以及氮化硅中 的一种或者多种导热材料的组合。
[0011]进一步地，本申请实施例中，所述嵌埋器件包括芯片、有源器件或者无源器件中的一种。
[0012]另一方面，本申请实施例还提供一种高散热混合基板，根据上述任一项实施例所述的混 合基板制作方法得到，包括第一导热块、第二导热块、嵌埋器件以及线路层；所述第一导热 块设置于所述混合基板侧面；第二导热块设置于所述嵌埋器件以及所述线路层之间。
[0013]进一步地，本申请实施例中，所述嵌埋器件包括一个或者多个。
[0014]进一步地，本申请实施例中，所述第一导热块包括一个或者多个。
[0015]另一方面，本申请实施例还提供一种半导体结构，其特征在于，包括至少一个上述任一 项实施例所述的一种高散热混合基板。
[0016]本申请的优点和有益效果将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显， 或通过本申请的实践了解到：
[0017]本申请可以在包括若干个子基板以及区域分割线的母基板上设置第一沟槽以及可以嵌埋 器件的第一腔体，并对第一沟槽以及第一腔体填充导热材料，并在填充了导热材料的母基板 上制作线路，最终对母基板沿着区域分割线进行切割得到侧面为导热面的混合基板，混合基 板侧面的导热面可以为基板上的线路层散热，而第二腔体填充的第二导热块可以将嵌埋器件 产生的热量传导至基板上的线路层，再通过混合基板侧面的导热面将线路层的热量快速传导 到外界环境，从而可以提高混合基板整体的散热效率。
附图说明
[0018]图1为本专利技术中一种具体实施例中一种高散热混合基板制作方法的步骤示意图；
[0019]图2为本专利技术中一种具体实施例中在所述半成品基板相对的两侧表面上制作线路层，得 到目标母基板的步骤示意图；
[0020]图3为本专利技术中一种具体实施例中在所述半成品基板的一侧表面上制作所述第一线路层 的步骤示意图；
[0021]图4为本专利技术中一种具体实施例中母基板的结构示意图；
[0022]图5为本专利技术中一种具体实施例中带第一沟槽和第一腔体的母基板的结构示意图；
[0023]图6为本专利技术中一种具体实施例中带第一沟槽和第一腔体的母基板的俯视图；
[0024]图7为本专利技术中一种具体实施例中填充导热材料以及嵌埋器件后的母基板的结构示意图；
[0025]图8为本专利技术中一种具体实施例中填充导热材料以及嵌埋器件后的母基板的俯视图；
[0026]图9为本专利技术中一种具体实施例中半成品基板的结构示意图；
[0027]图10为本专利技术中一种具体实施例中在半成品基板上得到目标母基板的结构变化示意图；
[0028]图11为本专利技术中一种具体实施例中混合基板的结构示意图。
具体实施方式
[0029]下面结合附图详细描述本专利技术的实施例对本专利技术实施例中的混合基板制作方法、混合基 板以及半导体结构的原理和过程作以下说明。
[0030]参照图1，本专利技术一种高散热混合基板制作方法，包括以下步骤：
[0031]S1、准备一母基板；
[0032]可选地，在本申请的母基板可以包括绝缘层以及临时载板；其中绝缘层与临时载板可以 压合，粘合以及其他形式的物理结合，临时载板在后续工艺中需要物理去除，因此临时载板 可以选用可热剥离的材料，也可以是带粘性的材料，如高温胶带；而绝缘层可以选择玻纤材 料，或者其他的绝缘材料。具体地，临时载板选用高温胶带，高温胶带具有热稳定性，在高 温下不容易产生物理和化学性质的变化，而且由于混合基板需要嵌埋器件，高温胶带具有粘 性也可以固定嵌埋器件。
[0033]S2、在所述母基板上设置若干个第一沟槽以及若干个第一腔体；
[0034]在本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高散热混合基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：准备一母基板；所述母基板包括绝缘层以及临时载板；所述绝缘层与所述临时载板压合；在所述母基板上设置若干个第一沟槽以及若干个第一腔体；所述母基板包括若干个子基板以及区域分割线；所述子基板至少包括一个所述第一腔体；所述第一沟槽横跨两个相邻的所述子基板设置；所述区域分割线用于将所述第一沟槽在垂直于所述母基板方向上的投影图形分割为两部分；所述第一沟槽以及所述第一腔体在垂直于所述母基板的方向上均贯穿所述绝缘层；在所述第一沟槽填充导热材料，形成第一导热块，以及，在所述第一腔体内贴装嵌埋器件并填充导热材料，形成第二导热块；去除所述临时载板，得到半成品基板；在所述半成品基板相对的两侧表面上制作线路层，得到目标母基板；沿着所述区域分割线切割所述目标母基板，得到侧面为导热面的混合基板。2.根据权利要求1所述一种高散热混合基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽填充导热材料，形成第一导热块这一步骤，具体包括：采用丝印的方式在所述第一沟槽填充导热材料，以形成第一导热块或者将干膜型的高导热材料进行压合后填充至所述第一沟槽，以形成第一导热块。3.根据权利要求1所述一种高散热混合基板制作方法，其特征在于，所述在所述半成品基板相对的两侧表面上制作线路层，得到目标母基板这一步骤，具体包括：制作第一导通孔；所述第一导通孔用于导通所述半成品基板的两侧表面上的第一线路层以及第二线路层；在所述半成品基板的一侧表面上制作所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，徐小伟，黄聚尘，黄高，黄本霞，秦超标，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：