一种制备扫描电容显微镜试片的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备扫描电容显微镜试片的方法，其步骤包括：提供一样品，该样品内部包括至少一个待分析目标物；利用人工研磨方式，自该样品的边缘向含有该待分析目标物的目标区逐渐研磨进去，并且在距离通过该目标区中的该至少一个待分析目标物的结构中心的纵向截面d1处停止研磨，形成研磨停点面；利用搭配扫描电子显微镜的电浆式聚焦离子束对该研磨停点面进行切削处理，并自该研磨停点面向该目标区前进，并且在距离该纵向截面d2处停止切削处理，形成切削停点面，其中0<d2<d1；以及利用人工研磨方式，抛光该切削停点面，并逐渐去除该样品位于该纵向截面与该切削停点面之间的部分，暴露出该纵向截面，完成扫描电容显微镜试片的制备。试片的制备。试片的制备。

【技术实现步骤摘要】
一种制备扫描电容显微镜试片的方法


[0001]本专利技术公开了一种制备试片的方法，且特别是关于一种制备扫描电容显微镜试片的方法。

技术介绍

[0002]扫描电容显微镜(Scanning Capacitance Microscopy,SCM)是获得待测结构(如晶体管或二极管)参杂(dopant)空间分布的重要工具之一，因此已广泛地被运用在集成电路制程与故障分析上。由于是分析参杂的空间分布，所以样品都必须制备成截面(cross
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section)形式。目前制备方法都是采用人工研磨，确认试片位置则是使用光学显微镜，然而研磨精准度与光学显微镜分辨率有其极限，对制程结构尺寸较大的试片，研磨的把握度并不会是个问题；但是，当制程结构尺寸进一步缩小到接近或甚至超过光学显微镜的分辨率时，截面制备的把握度则会明显降低很多，难度也越来越高，更不用提如果需要研磨到特定分析位置。
[0003]图1A是一种待分析样品100的俯视图，如图1A所示，该待分析样品100中有多个圆柱状待分析目标物110。图1B为沿图1A的剖面线Ir/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备扫描电容显微镜试片的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供样品，所述样品内部包括至少一个待分析目标物；利用人工研磨方式，自所述样品的边缘向含有所述待分析目标物的目标区逐渐研磨进去，并且在距离通过所述目标区中的所述至少一个待分析目标物的结构中心的纵向截面d1处停止研磨，形成研磨停点面；利用搭配扫描电子显微镜的电浆式聚焦离子束对所述研磨停点面进行切削处理，并自所述研磨停点面向所述目标区前进，并且在距离所述纵向截面d2处停止切削处理，形成切削停点面，其中0<d2<d1；以及利用人工研磨方式，抛光所述切削停点面，并逐渐去除所述样品位于所述纵向截面与所述切削停点面之间的部分，暴露出所述纵向截面，完成扫描电容显...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳纪纶，黄惠妮，陈佳伶，张仕欣，
申请(专利权)人：汎铨科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：