一种故障分析用的半导体试片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种故障分析用的半导体试片的制备方法，藉由使用一种非挥发性、非液态且对介电材质具有较高黏着特性而对金属接触材料具有较低黏着特性的黏着材料所构成的黏着层，可大面积、高均匀度的选择性移除介电材料部分厚度，并完整保留金属接触材料，且不会与半导体样品产生化学反应或甚至破坏欲分析的结构，且可藉由选用不同的黏着层材料，控制与介电层的黏着度，进而可以控制移除介电层的厚度，故可提供一种适用于尺寸缩小化的故障分析用半导体试片。析用半导体试片。析用半导体试片。

【技术实现步骤摘要】
一种故障分析用的半导体试片的制备方法


[0001]本专利技术公开了一种故障分析用的半导体试片的制备方法，且特别是关于一种利用材料黏着度差异以制备失效分析用的半导体试片的方法。

技术介绍

[0002]已知故障分析用的半导体试片的制备方法，通常必须逐层去层(delayer)，以提供故障分析用的半导体试片。如图1A～1B所示的已知一种故障分析用的半导体试片的制备方法，其步骤包括首先提供一如图1A所示的半导体样品10，前述半导体样品10包括一半导体组件100、一连接前述半导体组件100的金属接触层180、一第一介电层170覆盖前述半导体组件100及前述金属接触层180、一导线层185，形成于前述第一介电层170上，并且连接前述金属接触层180，以电性连接前述半导体组件100，以及一第二介电层200，覆盖前述导线层185上，前述半导体组件100例如包括一半导体基板110、一闸极120、一闸极氧化层130、一源极140及一汲极160。然后，如图1B所示般，使用人工研磨并搭配化学蚀刻液去除前述第二介电层200及前述导线层185，使金属接触层180部分裸露，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种故障分析用的半导体试片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体样品，前述半导体样品包括一半导体组件、一金属接触层、一第一介电层、一导线层以及一第二介电层，其中前述金属接触层连接前述半导体组件，前述第一介电层覆盖前述半导体组件及前述金属接触层，前述导线层是形成于前述第一介电层上，且藉由连接前述金属接触层以电性连接前述半导体组件，且前述第二介电层是覆盖于前述导线层上；对前述半导体样品施一研磨处理，以邻近前述金属接触层与前述导线层间的界面为研磨终点，逐渐研磨去除前述第二介电层及前述导线层；形成一黏着层于研磨处理过的前述半导体样品表面，前述黏着层对前述第一介电层的附着力大于前述黏着层对前述金属接触层的附着力；以及固化前述黏着层后，剥离前述黏着层，使部分前述第一介电层连同前述黏着层一起被剥除，并使部分前述金属接触层裸露出来。2.如权利要求1所述的故障分析用的半导体试片的制备方法，其特征在于，其中前述第一、第二介电层为相同或相异...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳纪纶，陈荣钦，张仕欣，
申请(专利权)人：汎铨科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：