一种半导体晶圆DIE尺寸的测量方法技术

本发明专利技术公开了一种一种半导体晶圆DIE尺寸的测量方法，方法的步骤中含有：S1：对晶圆构建坐标系，获取晶圆的圆心坐标，获取基测DIE的尺寸及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸；其中，基测DIE为晶圆圆心附近的某个实际DIE；邻近DIE为基测DIE相邻斜角方向的实际DIE；S2：以基测DIE的尺寸以及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸对应为预排列DIE的尺寸和预排列DIE之间的间隔尺寸，并根据晶圆的尺寸、晶圆的圆心坐标、基测DIE的尺寸以及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸在晶圆上预排列出预排列DIE的分布，得DIE预排列图；DIE预排列图包括一行水平方向的预排列DIE和一行垂直方向的预排列DIE，并获得每个预排列DIE的位置坐标。它能够很好地测量DIE的大小，并且操作简单，测量结果误差较小。较小。较小。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆DIE尺寸的测量方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体晶圆DIE尺寸的测量方法。

技术介绍

[0002]目前，半导体光刻/缺陷检测过程中，需要获得准确的DIE的大小，用于后续的缺陷检测。
[0003]现有技术一般是通过测量晶圆上临近的几个DIE，手工测量DIE的大小，这种方式有如下问题：
[0004]1、测量DIE的大小操作比较复杂，需要手工测量多个DIE的大小；
[0005]2、测量结果不准确，手工测量存在较大误差。

技术实现思路

[0006]本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种半导体晶圆DIE尺寸的测量方法，它能够很好地测量DIE的大小，并且操作简单，测量结果误差较小。
[0007]为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种半导体晶圆DIE尺寸的测量方法，方法的步骤中含有：
[0008]S1：对晶圆构建坐标系，获取晶圆的圆心坐标，获取基测DIE的尺寸及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸；其中，基测DIE为晶圆圆心附近的某个实际DIE；邻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆DIE尺寸的测量方法，其特征在于，方法的步骤中含有：S1：对晶圆构建坐标系，获取晶圆的圆心坐标，获取基测DIE的尺寸及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸；其中，基测DIE为晶圆圆心附近的某个实际DIE；邻近DIE为基测DIE相邻斜角方向的实际DIE；S2：以基测DIE的尺寸以及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸对应为预排列DIE的尺寸和预排列DIE之间的间隔尺寸，并根据晶圆的尺寸、晶圆的圆心坐标、基测DIE的尺寸以及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸在晶圆上预排列出预排列DIE的分布，得DIE预排列图；其中，DIE预排列图包括一行水平方向的预排列DIE和一行垂直方向的预排列DIE，并获得每个预排列DIE的位置坐标；S3：在DIE中指定特征模板，并获取特征模板相对于DIE的位置坐标；其中，特征模板为DIE中的某一区域；S4：根据获得的预排列DIE的位置坐标及特征模板相对于DIE中的位置坐标设定扫描路径对晶圆上预排列DIE对应的位置进行光学扫描，至少得一水平方向的特征图像集和一竖直方向的特征图像集；其中，扫描晶圆的过程中，每个DIE对应扫描该DIE上特征模板位置对应的特征图像；S5：对光学扫描得到的特征图像和相应特征模板进行匹配；匹配成功的，则记录匹配位置的像素坐标，并转化为匹配位置的物理坐标,记录该匹配位置对应的位置编号和将该匹配位置的物理坐标记为相应位置编号对应的实际DIE的物理坐标；匹配不成功的，记录该匹配位置对应的位置编号和记录相应位置编号对应的实际DIE的物理坐标为空；S6：根据水平方向的且连续m个位置编号对应的实际DIE的物理坐标的X值通过公式(1)计算实际DIE的宽度h；根据竖直方向的且连续n个位置编号对应的实际DIE的物理坐标的Y值通过公式(2)计算实际DIE的高度w；其中，连续的位置编号对应的实际DIE中第一个和最后一个对应的实际DIE的物理坐标不为空；公式(1)为h＝(X
m+1
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘庄，
申请(专利权)人：江苏维普光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：