【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于binning模式的掩膜版缺陷检测的方法,属于半导体缺陷检测/光刻。
技术介绍
1、目前,半导体光刻/缺陷检测过程中,需要使用高倍镜头检测精细的缺陷,检测过程非常耗时,采用50x镜头检测6寸掩膜版需要1个小时以上,譬如公开号为cn113533351a的中国专利披露了一种面板缺陷检测装置及检测方法,其中就披露了对掩膜版缺陷进行检测的方法,该专利并没有采用binning模式,检测过程耗时长。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种基于binning模式的掩膜版缺陷检测的方法,该方法采用binning方式进行掩膜版检测,缩短了掩膜版缺陷检测的总体时间,提高了检测效率。
2、为了解决上述技术问题,本专利技术的技术方案是:一种基于binning模式的掩膜版缺陷检测的方法,基于一含有相机模块和运动平台的掩膜版缺陷检测系统实现,方法的步骤中包括:
3、在掩膜版设计图上选择检测区域和对准设置用的mark点;
4
...【技术保护点】
1.一种基于BINNING模式的掩膜版缺陷检测的方法,基于一含有相机模块和运动平台的掩膜版缺陷检测系统实现,其特征在于方法的步骤中包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,
6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,BINNING模式为2x2模式或4x4模式。
【技术特征摘要】
1.一种基于binning模式的掩膜版缺陷检测的方法,基于一含有相机模块和运动平台的掩膜版缺陷检测系统实现,其特征在于方法的步骤中包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘庄,刘建明,张彦鹏,
申请(专利权)人:江苏维普光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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