【技术实现步骤摘要】
一种基于明暗场的晶圆缺陷检测方法
[0001]本专利技术涉及一种基于明暗场的晶圆缺陷检测方法,涉及到半导体检测
技术介绍
[0002]目前,光刻后的晶圆颗粒检测,如果针对明场检测,缺陷分辨率很难提高,如果采用高NA值物镜,往往倍率较高,产能受限,如果采用暗场检测,对晶圆的图形有相关限制要求,不具备通用性,比如美国的KLA的puma类型的机台,往往对存储等类型适合,同时由于暗场成像自身的问题,不能有效的对图像进行配准处理,也有暗场和明场信息叠加在一起的解决方案,但是由于明场的信息干扰,会丢失掉一些缺陷信息。
技术实现思路
[0003]本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种基于明暗场的晶圆缺陷检测方法,它能够提高颗粒缺陷捕获能力,从而提高缺陷检测精度。
[0004]为了解决上述技术问题,本专利技术的技术方案是:一种基于明暗场的晶圆缺陷检测方法,方法的步骤中含有:将一目标晶圆置于检测光路中,通过检测光路利用明场光源对目标晶圆采集目标明场图像,通过检测光路利用暗场光源对目标晶圆采 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于明暗场的晶圆缺陷检测方法,其特征在于,方法的步骤中含有:将一目标晶圆置于检测光路中,通过检测光路利用明场光源对目标晶圆采集目标明场图像,通过检测光路利用暗场光源对目标晶圆采集目标暗场图像;通过检测光路利用明场光源对标准晶圆采集标准明场图像,并指定标准明场图像中的无缺陷区域作为配准检测区域;其中,明场光源和暗场光源的波长不同;对目标明场图像进行处理,并根据标准明场图像对目标明场图像进行配准操作,得到目标明场图像对应配准检测区域的明场检测区域与配准检测区域的位置偏差;根据得到的位置偏差索引到目标暗场图像的暗场检测区域;对暗场检测区域内的图像进行缺陷检测。2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法,其特征在于,所述明场光源为LED光源。3.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法,其特征在于,所述暗场光源为激光或环形LED。4.根据权利要求1所述的晶圆...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘建明,刘庄,张彦鹏,
申请(专利权)人:江苏维普光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。