硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法技术

一种硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法，可以包括步骤1：将待测硅片在高温环境下氧化热处理，以使待测硅片的氧化诱生层错缺陷成核长大；步骤2：利用氢氟酸溶液对氧化热处理后的待测硅片进行去氧化；步骤3：将去氧化后的待测硅片沿NOTCH槽进行解理，得到测试样片；步骤4：将测试样片放入择优腐蚀液中进行腐蚀；步骤5：将腐蚀后的测试样片的解理面正对显微镜的镜头，观察解理面上的氧化诱生层错。本方案是对硅片的断面进行检测，即使硅片表面有损伤或脏污也不会影响检测结果，能够提高氧化诱生层错缺陷检测的准确性。检测的准确性。检测的准确性。

【技术实现步骤摘要】
硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法


[0001]本专利技术涉及硅片质量检测
，特别涉及一种硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法。

技术介绍

[0002]直拉单晶硅在生长过程中会产生许多晶格缺陷，如氧化诱生层错（OISF）、漩涡、孪晶、杂质条纹和流动图形缺陷等。其中，氧化诱生层错是单晶硅生长过程中常见的一种缺陷，它的存在会增加漏损电流、成为其他缺陷成核的中心，同时作为载流子的复合和散射中心，会降低少数载流子的迁移率和寿命，增大正向压降和反向漏电流，导致器件性能降低。因此，对硅片的氧化诱生层错缺陷进行检测，有利于把控硅片的质量。
[0003]现阶段在检测硅片的氧化诱生层错时，通常是将硅锭截断后放在暗室中去观察。然而，由于观察所用的硅片为截断后的硅片，表面状态较差，容易有损伤或污损，而损伤或污损也会引起表面氧化诱生层错缺陷，从而导致硅片的氧化诱生层错缺陷的检测结果准确性较差。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，针对以上不足，有必要提出一种硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法，以提高氧化诱生层错缺陷检测结果的准确性。
[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将待测硅片在高温环境下氧化热处理，以使待测硅片的氧化诱生层错缺陷成核长大；步骤2：利用氢氟酸溶液对氧化热处理后的待测硅片进行去氧化；步骤3：将去氧化后的待测硅片沿NOTCH槽进行解理，得到测试样片；步骤4：将测试样片放入择优腐蚀液中进行腐蚀；步骤5：将腐蚀后的测试样片的解理面正对显微镜的镜头，观察解理面上的氧化诱生层错。2.根据权利要求1所述的硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：将待测硅片在900
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1200℃的湿氧气氛下氧化诱生1
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2小时。3.根据权利要求1所述的硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法，其特征在于，所述步骤2中，氢氟酸溶液的浓度为40%
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50%，去氧化时间为2
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3min。4.根据权利要求1所述的硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：S1：利用金刚笔在NOTCH槽的凹槽底部轻轻按压，使硅片沿着晶格方向出现自解理裂纹；S2：沿着自解理裂纹方向进行分解，得到半圆硅片；S3：在半圆硅片上距离NOTCH槽1
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2厘米处的位置再次采用步骤S1
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S2的方式进行解理，得到长条状的测试样片。5.根据权利要求4所述的硅片氧化诱生层错缺陷的...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐佳美，芮阳，祁海滨，王若男，冉泽平，徐慶晧，杨少林，王黎光，王忠保，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：