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一种硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法，可以包括步骤1：将待测硅片在高温环境下氧化热处理，以使待测硅片的氧化诱生层错缺陷成核长大；步骤2：利用氢氟酸溶液对氧化热处理后的待测硅片进行去氧化；步骤3：将去氧化后的待测硅片沿NOTCH槽进行解理，得到...
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