工艺配方及其生成方法以及生成系统、半导体制造方法技术方案

本公开实施例涉及半导体领域，提供工艺配方及其生成方法以及生成系统、半导体制造方法，其中基于衍射的工艺配方的生成方法包括：提供基础工艺配方，基础工艺配方中的参数包括曝光波长以及曝光能量，基础工艺配方用于形成初始对准图形；进行至少一次反馈修正步骤，以对基础工艺配方进行调整，获取实际工艺配方，其中，每次反馈修正步骤包括：基于当前反馈修正步骤之前的基础工艺配方，获取第一图形以及第二图形，第一图形为显影后的初始对准图形，第二图形为刻蚀后的初始对准图形；基于第一图形与第二图形的差异，对当前反馈修正步骤之前的基础工艺配方进行调整。至少可以提高工艺配方的精确性。方的精确性。方的精确性。

【技术实现步骤摘要】
工艺配方及其生成方法以及生成系统、半导体制造方法


[0001]本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及工艺配方及其生成方法以及生成系统、半导体制造方法。

技术介绍

[0002]半导体技术的发展通常受限于光刻技术的发展，光刻是通过曝光、显影及刻蚀等一系列步骤将掩膜图案图形转移到晶圆上的工艺过程。套刻精度是描述当层与前层套刻精准性的重要参数，特征尺寸的缩小对晶圆套刻精度提出了更加严格的要求。如果光刻层间的套刻精度没有达到设计准则的要求，会导致前端器件功能和后端连线功能的可靠性变差甚至失效，直接造成产品良率的损失。
[0003]为了评估套刻精度，通常会在晶圆上设计套刻标识，通过比较当层套刻标识和前层套刻标识，以获取套刻精度。通常的，套刻标识为采用基于衍射的工艺配方生成，
[0004]且目前存在基于衍射的工艺配方不够精确的问题，导致基于该工艺配方形成的套刻标识的位置偏离预先设计，从而影响利用该套刻标识评估对准精度的可靠性。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供一种工艺配方及其生成方法以及生成系统、半导体制造方法，至少有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于衍射的工艺配方的生成方法，其特征在于，包括：提供基础工艺配方，所述基础工艺配方中的参数包括曝光波长以及曝光能量，所述基础工艺配方用于形成初始对准图形，且所述初始对准图形与标准套刻图形相对应；进行至少一次反馈修正步骤，以对所述基础工艺配方进行调整，获取实际工艺配方，其中，每次所述反馈修正步骤包括：基于当前所述反馈修正步骤之前的所述基础工艺配方，获取第一图形以及第二图形，所述第一图形为显影后的所述初始对准图形，所述第二图形为刻蚀后的所述初始对准图形；基于所述第一图形与所述第二图形的差异，对当前所述反馈修正步骤之前的所述基础工艺配方进行调整。2.根据权利要求1所述的生成方法，其特征在于，获取所述基础工艺配方的方法包括：提供所述曝光波长及所述曝光能量的初始范围；根据图形预设精度，对具有初始范围的所述曝光波长及所述曝光能量进行选择，以获取所述基础工艺配方。3.根据权利要求1所述的生成方法，其特征在于，获取所述基础工艺配方的方法包括：提供所述曝光波长及所述曝光能量的初始范围；根据图形预设精度，对具有初始范围的所述曝光波长及所述曝光能量进行选择，以获取原始工艺配方，对所述原始工艺配方进行至少一次的调整处理，所述调整处理包括：根据所述原始工艺配方，获取第三图形，所述第三图形为根据所述原始工艺配方显影所得；获取所述第三图形与所述标准套刻图形的差异，并根据所述第三图形与所述标准套刻图形的差异对所述原始工艺配方进行调整，以获取所述基础工艺配方。4.根据权利要求2或3所述的生成方法，其特征在于，获取所述基础工艺配方的方法还包括：获取所述曝光波长及所述曝光能量的对应关系。5.根据权利要求1所述的生成方法，其特征在于，所述反馈修正步骤包括至少两次，基于当前所述反馈修正步骤之前的所述基础工艺配方的调整方法为：当前所述反馈修正步骤中，当前所述反馈修正步骤之前的所述基础工艺配方为进行前一次所述反馈修正步骤后的所述基础工艺配方。6.根据权利要求1所述的生成方法，其特征在于，基于当前所述反馈修正步骤之前的所述基础工艺配方的方法为：当前所述反馈修正步骤中，所述基础工艺配方为第一次所述反馈修正步骤前的所述基础工艺配方。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱少稳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：