温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例涉及半导体领域，提供工艺配方及其生成方法以及生成系统、半导体制造方法，其中基于衍射的工艺配方的生成方法包括：提供基础工艺配方，基础工艺配方中的参数包括曝光波长以及曝光能量，基础工艺配方用于形成初始对准图形；进行至少一次反馈修正步...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。