原子探针断层分析的样品及其制备方法、芯片技术

本公开实施例提供一种原子探针断层分析的样品及其制备方法、芯片。该制备方法包括：提供基底，基底具有阵列区和外围区；在阵列区执行第一半导体工艺，以形成第一半导体结构，在外围区同步执行第一半导体工艺中形成第一半导体结构的材料的工艺，在外围区形成堆叠的材料层；提取材料层并进行处理，保留待测材料层，形成样品。本公开实施例制备的样品，材料分布均匀，降低制备难度，简化工艺，提高了样品的完整性及表面的光洁度，提高了测试结果的准确度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
原子探针断层分析的样品及其制备方法、芯片


[0001]本公开涉及半导体检测
，尤其涉及一种原子探针断层分析的样品及其制备方法、芯片。

技术介绍

[0002]APT(Atom Probe Tomography，原子探针断层分析)是一种在原子尺度上提供三维断层扫描图像和化学识别的技术，是目前分析半导体器件的不同半导体区域中的元素分布或者掺杂浓度常用的测试手段。
[0003]相关技术中，在进行APT测试时，APT样品为利用半导体器件中待测的部分制备获得。然而，由于待测部分的结构较为复杂，比如电容器，可能存在空心结构，且各材料层分布不均匀，大大增加了制备APT样品的难度，制备的APT样品不完整且表面粗糙，降低了测试结果的准确度。
[0004]在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的相关技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种原子探针断层分析的样品及其制备方法、芯片，能够降低APT样品制备的难度，提高了样品的完整性及表面的光洁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种原子探针断层分析的样品的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有阵列区和外围区；在所述阵列区执行第一半导体工艺，以形成第一半导体结构，在所述外围区同步执行所述第一半导体工艺中形成所述第一半导体结构的材料的工艺，在所述外围区形成堆叠的材料层；提取所述材料层并进行处理，保留待测材料层，形成样品。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为半导体衬底，在所述阵列区执行第一半导体工艺之前，还包括：在所述外围区的所述半导体衬底上形成圆锥状的载柱。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述载柱的材料为半导体材料和导体材料中的至少一种。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述外围区形成堆叠的材料层，包括：在所述载柱的表面共形地形成所述待测材料层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：在所述外围区形成保护层，所述保护层完全覆盖所述载柱上的所述待测材料层；在所述外围区形成堆叠的材料层，还包括：在所述保护层上继续同步执行所述第一半导体工艺中形成所述第一半导体结构的材料的工艺，在所述保护层上形成非测试材料层。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：去除所述非测试材料层，露出所述保护层；提取所述材料层并进行处理，保留待测材料层，形成样品，包括：切割所述外围区中的目标区域，获得所述目标区域的所述半导体衬底及位于所述半导体衬底上的所述载柱、所述待测材料层和所述保护层；去除所述保护层，露出锥形的所述待测材料层，形成所述样品。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述保护层的材料为光刻胶、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提取所述材料层并进行处理，保留待测材料层，形成样品，包括：利用聚焦离子束在目标区域切割所述材料层，形成包含所述待测材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐高峰，王欣，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：