基于AlN衬底的垂直器件制造技术

本申请公开基于AlN衬底的垂直器件，属于半导体器件技术领域，包括外延片和生长在外延片两端的第一钝化层、N欧姆接触层、阴极电极层和第二钝化层、肖特基层、P欧姆接触层和阳极电极层，外延片包括衬底层、缓冲层和外延层，其中外延层包括AlGaN层、U

【技术实现步骤摘要】
基于AlN衬底的垂直器件


[0001]本技术涉及半导体器件
，尤其涉及基于AlN衬底的垂直器件。

技术介绍

[0002]参考图1，为常规SBD功率器件的结构示意图，其中A为阳极电极层，C为阴极电极层，N为N欧姆接触层，P为P欧姆接触层。这种大多数的第三代半导体外延片为了生长更高质量的GaN外延材料，一般都会先在衬底Substrate上生长一层AlN，然而，由于AlN不导电的性能，导致芯片设计只能进行同侧电极制作，即芯片上的阳极和阴极位于同一侧面，极大的影响了芯片的电性能；同时，基于衬底形成的电阻和热阻，也极大的影响了器件整体的性能。
[0003]除此之外，基于PSJ的功率器件，也是由于芯片的阳极和阴极处于同一侧面的情况，直接影响到PSJ的长度，进而影响到器件的二维电子气的电性能。
[0004]第三，现有半导体器件大多以正装形式制造，在其封装的过程中需要进行单独的打线，以此来连接芯片上的各个电极和封装引脚，存在一定的虚焊的可能性。
[0005]第四，常规半导体芯片的散热性能较差，往往需要特殊的工作环境或者提供辅助的散本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于AlN衬底的垂直器件，包括外延片，其中所述外延片包括由第一端至第二端依次生长形成的衬底层、缓冲层和外延层，其中所述外延层包括由所述缓冲层依次生长的AlGaN层、U
‑
GaN层和P
‑
GaN层，其特征在于，所述垂直器件于所述外延片的所述第一端设置有第一钝化层、N欧姆接触层和阴极电极层，并于所述外延片的所述第二端设置有第二钝化层、肖特基层、P欧姆接触层和阳极电极层；其中所述第一钝化层和所述N欧姆接触层在所述外延片的一侧贯穿所述衬底层和所述缓冲层而延伸至所述外延层，所述N欧姆接触层的厚度小于所述第一钝化层的厚度，所述阴极电极层覆盖在所述衬底层、所述第一钝化层和所述N欧姆接触层的表面；其中所述P
‑
GaN层靠近所述外延层的一侧，所述P欧姆接触层位于所述P
‑
GaN层远离所述缓冲层的表面，所述肖特基层在所述P
‑
GaN层所在的一侧贯穿所述外延层而延伸至所述缓冲层，并部分覆盖所述P欧姆接触层的表面，所述第二钝化层覆盖部分所述缓冲层、所述肖特基层、所述P欧姆接触层、所述P
‑
GaN层和所述U
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：王龙，
申请(专利权)人：远山新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：