一种半导体芯片的加强结构及半导体芯片制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，提供一种半导体芯片的加强结构，包括缓冲板，设于芯片本体的相邻的两条侧边的连接处；至少一个应力槽，设于所述缓冲板上；多个外辅助槽，设于所述应力槽的两侧；以及多个内辅助槽，设于所述应力槽的两侧。通过本发明专利技术公开的一种半导体芯片的加强结构，能够保护半导体芯片的结构。能够保护半导体芯片的结构。能够保护半导体芯片的结构。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片的加强结构及半导体芯片


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体芯片的加强结构及半导体芯片。

技术介绍

[0002]在半导体芯片的制程工艺中，技术节点在进入更小纳米级后，后段制程工艺的金属线与金属线之间的介电层的材质会需要采用低介电常数的介质材料。
[0003]然而，低介电常数的介质材料属于多孔洞材料，结构较为脆弱。当对半导体芯片进行切割时，半导体芯片的角落承受较大的应力，导致其结构容易被破坏。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体芯片的加强结构及半导体芯片，能够保护半导体芯片的结构。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种半导体芯片的加强结构，包括：
[0006]缓冲板，设于芯片本体的相邻的两条侧边的连接处；
[0007]至少一个应力槽，设于所述缓冲板上；
[0008]多个外辅助槽，设于所述应力槽的两侧；以及
[0009]多个内辅助槽，设于所述应力槽的两侧。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的加强结构，其特征在于，包括：缓冲板，设于芯片本体的相邻的两条侧边的连接处；至少一个应力槽，设于所述缓冲板上；多个外辅助槽，设于所述应力槽的两侧；以及多个内辅助槽，设于所述应力槽的两侧。2.根据权利要求1所述的半导体芯片的加强结构，其特征在于，还包括缓冲切口，所述缓冲切口位于所述缓冲板的一侧，所述缓冲板呈等腰梯形的形状。3.根据权利要求1所述的半导体芯片的加强结构，其特征在于，所述应力槽呈正八边形的形状。4.根据权利要求1所述的半导体芯片的加强结构，其特征在于，所述外辅助槽呈等腰梯形的形状。5.根据权利要求1所述的半导体芯片的加强结构，其特征在于，当所述应力槽的数量为一个时，所述内辅助槽呈等腰直角三角形的形状。6.根据权利要求5所述的半导体芯片的加强结构，其特征在于，当所述应力槽的数量为一个，所述外辅助槽的数量为两个时，两个所述外辅助槽沿所述缓冲板的中心线对称设置。7.根据权利要求1所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈冠中，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：