IGBT器件的形成方法技术

一种IGBT器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区、以及包围所述有源区的终端区；在所述终端区内形成若干初始隔离结构；在所述有源区内形成若干栅极沟槽；在所述栅极沟槽内和所述衬底上形成栅极材料层，位于所述衬底上的所述栅极材料层覆盖所述初始隔离结构；对所述栅极材料层和所述初始隔离结构进行平坦化处理及回刻蚀处理，使得所述栅极材料层形成栅极结构、以及所述初始隔离结构形成隔离结构。通过先形成所述初始隔离结构和所述栅极材料层，在所述初始隔离结构和所述栅极材料层形成之后，采用一道平坦化工艺同时对所述初始隔离结构和所述栅极材料层进行处理，进而有效减少了工艺步骤，降低了生产成本。降低了生产成本。降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
IGBT器件的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种IGBT器件的形成方法。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由双极型三极管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor，MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金属氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor，GTR)的低导通压降两方面的优点。
[0003]IGBT器件的背面工艺经历了从非穿通型(Non
‑
punch Through，NPT)到穿通型(Punch Through，PT)，再到场截止型(Field Stop，FS或SPT)的发展历程；IGBT器件的正面工艺从平面型(planar)到沟槽栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区、以及包围所述有源区的终端区；在所述终端区内形成若干初始隔离结构；在所述有源区内形成若干栅极沟槽；在所述栅极沟槽内和所述衬底上形成栅极材料层，位于所述衬底上的所述栅极材料层覆盖所述初始隔离结构；对所述栅极材料层和所述初始隔离结构进行平坦化处理及回刻蚀处理，使得所述栅极材料层形成栅极结构、以及所述初始隔离结构形成隔离结构。2.如权利要求1所述的IGBT器件的形成方法，其特征在于，所述初始隔离结构的形成工艺包括：硅的局部氧化工艺。3.如权利要求2所述的IGBT器件的形成方法，其特征在于，所述硅的局部氧化工艺包括：在所述衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出所述终端区的部分表面；以所述第一掩膜层为掩膜，采用热生长工艺在所述终端区内形成若干初始隔离结构。4.如权利要求3所述的IGBT器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括：氮化硅。5.如权利要求3所述的IGBT器件的形成方法，其特征在于，所述栅极沟槽的形成方法包括：在所述第一掩膜层及所述初始隔离结构上形成第二掩膜层；所述第二掩膜层暴露出位于所述有源区上的所述第一掩膜层的部分表面；以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层以...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘嘉，杨继业，谢正栋，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：