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一种IGBT器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区、以及包围所述有源区的终端区；在所述终端区内形成若干初始隔离结构；在所述有源区内形成若干栅极沟槽；在所述栅极沟槽内和所述衬底上形成栅极材料层，位于所述衬底上的所述栅极材料层覆盖所...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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