本申请公开共源共栅级联功率器件，具有栅极

MOCVD尾端过滤器，包括底座和安装在底座上部的滤芯，底座上部设置有O型卡槽，O型卡槽上部设置有U型环状密封圈，U型环状密封圈的上表面探入滤芯中部孔洞内，O型卡槽和滤芯一一对应，均设置有六个，按照环状阵列位置安装，卡槽突出底座的高度为1...

一种MOCVD腔体通气孔保养工具，包括本体，本体的首段呈阶梯状结构设置有上孔管和下孔管，上孔管设置为较短的平直状结构，下孔管设置为较长的向下弯曲的弧状结构；本体的尾端设置有用于连接吸尘器软管的接口；上孔管和下孔管的宽度均为15毫米；下孔...

一种MOCVD充抽箱卡锁，包括固定块和卡槽，固定块包括水平设置为的横块和竖直设置的纵块，纵块的下部设置有锁止部，锁止部卡入卡槽的下部完成锁止；纵块的上端与横块的中部固定连接，横块的两端分别设置有贯穿孔，贯穿孔内设置有调节螺丝；锁止部呈水...

本申请公开GaNHEMT外延片结构和半导体器件，属于半导体设备技术领域，其中GaNHEMT外延片结构包括蓝宝石衬底层以及在所述蓝宝石衬底层上依次设置的缓冲层、无掺杂U

本申请公开基于AlN衬底的垂直器件及其制造方法，垂直器件包括外延片和生长在外延片两端的第一钝化层、N欧姆接触层、阴极电极层和第二钝化层、肖特基层、P欧姆接触层和阳极电极层，外延片包括衬底层、缓冲层和外延层，其中外延层包括AlGaN层、U

一种新型烤盘支架，包括框架，框架设置为阶梯状结构，框架上部为用于承载微小型种类石磨盘的第一承载位，框架下部为用于承载小型种类石磨盘的第二承载位，第一承载位和第二承载位均采用条形石墨件制成，框架采用板型石墨件制成，框架上设置有若干用于轻量...

本申请公开氮化镓基二极管外延片和半导体器件，属于半导体设备技术领域，其中二极管外延片包括依次设置的蓝宝石衬底层、超晶格缓冲层、GaN主体层、高温AlGaN层和P

本申请公开基于AlN衬底的垂直器件，属于半导体器件技术领域，包括外延片和生长在外延片两端的第一钝化层、N欧姆接触层、阴极电极层和第二钝化层、肖特基层、P欧姆接触层和阳极电极层，外延片包括衬底层、缓冲层和外延层，其中外延层包括AlGaN层、U

本申请公开半导体封装支架，属于半导体封装设备技术领域，包括基岛和设置在所述基岛的同一侧的引脚，其中所述基岛设置有多条隔离段，其中所述隔离段为隔离通孔或隔离缺口，从而能够通过隔离通孔或者隔离缺口释放半导体封装支架自身的应力，进而防止将封装...

本申请公开抛光液桶自动清洗装置包括支撑件、旋转元件、清扫机构和喷水机构；旋转元件被固定设置在支撑件上；清扫机构包括底壁清扫毛刷和侧壁清扫毛刷，底壁清扫毛刷位于旋转元件的旋转轴的底端，侧壁清扫毛刷通过横向连接件连接在旋转轴的侧壁，横向连接...

MOCVD旋转齿轮高温治具架，包括框架，框架包括底座和设置在底座上部的若干立柱，若干立柱之间纵向依次排列有若干载板，载板上部以可抽插的方式设置有盘架，盘架的上部设置有若干支架；支架设置为十字状结构，支架内部设置有用于容纳齿轮的内槽，内槽...

本申请公开外延片，属于GaN基HEMT外延片技术领域，其中外延片包括蓝宝石衬底层以及依次设置在所述蓝宝石衬底层上的AlN薄膜层、低温AlN层、高温AlN层、不掺杂GaN层、AlN层和AlGaN层，其中所述AlN层的厚度为1nm～2nm，...

本申请公开基于剥离衬底的半导体功率分立器件，包括外延层、栅极层和功能层，其中栅极层被设置于所述外延层的第一表面，包括栅极结构、第一钝化层结构和金属基板，其中所述栅极结构靠近所述第一表面，所述第一钝化层结构相对的设置在所述栅极结构的两侧，...

本申请公开半导体衬底研磨铜盘，属于半导体衬底加工技术领域，包括底座和研磨铜盘，其中所述研磨铜盘位于所述底座的顶部，所述研磨铜盘的顶面均匀布设有多个第一研磨槽和多个第二研磨槽，其中所述第一研磨槽和所述第二研磨槽的槽口直径不相同，且所述第一...

本申请公开破片熔合石英金舟，属于晶圆制造技术领域，其中所述石英金舟包括底座和设置在所述底座的顶部的支撑框，其中所述支撑框均匀间隔设置有多个支撑槽，其特征在于，其中所述石英金舟还在所述底座的底部支撑设置有若干个支撑柱，所述支撑柱为石英材质...

本申请公开晶圆膜厚量测定位治具，属于晶圆量测设备技术领域，其中该治具包括晶圆固定部和点位定位部，其中所述晶圆固定部设置有一容纳槽，并于所述容纳槽的侧壁设置有至少一处平面结构，使得晶圆放置在所述容纳槽内后，晶圆的平边与所述平面结构相适配；...

本申请公开基于剥离衬底的半导体功率分立器件及制造方法，器件包括外延层、栅极层和功能层，其中栅极层被设置于所述外延层的第一表面，包括栅极结构、第一钝化层结构和金属基板，其中所述栅极结构靠近所述第一表面，所述第一钝化层结构相对的设置在所述栅...

本申请公开半导体外延片，属于半导体结构技术领域，包括蓝宝石衬底层、缓冲层和GaN主体层；其中所述缓冲层包括在所述蓝宝石衬底层上由近到远依次设置的溅射薄膜层、高温AlN缓冲层、AlGaN层和GaN层，其中所述溅射薄膜层的厚度为15nm～3...

本申请公开超音波低温水域下蜡装置，属于晶片处理设备技术领域，包括底座、承载槽、加热元件、晃动机构、承载盘和超音波换能器；承载槽用于盛装去离子水，位于所述底座的顶部，所述承载槽的底壁设置有限位通孔，所述承载槽内设置有温度传感器；晃动机构包...