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本申请公开基于AlN衬底的垂直器件，属于半导体器件技术领域，包括外延片和生长在外延片两端的第一钝化层、N欧姆接触层、阴极电极层和第二钝化层、肖特基层、P欧姆接触层和阳极电极层，外延片包括衬底层、缓冲层和外延层，其中外延层包括AlGaN层、U...
该专利属于远山新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过远山新材料科技有限公司授权不得商用。

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