【技术实现步骤摘要】
一种高集成正激电源及其电路
[0001]本技术涉及正激电源
,尤其涉及一种高集成正激电源及其电路。
技术介绍
[0002]正激电源因其控制简单,且成本较低被广泛应用在小功率电源上,正激电源的变压器与储能电感一般是将漆包线绕制在骨架上,再与磁芯装配而成。传统正激变压器与储能电感的受其骨架外形及安装方式的限制,具有体积大、加工工序多、寄生参数难以控制、成本高等缺点,使其无法适应当前电源应用的小型化需求,尤其是通讯设备,对其内建的电源模块高度和工作温度范围有严格的要求,电源模块一般都要求在10mm以下,工作温度在零下40℃到零上100℃之间,传统变压器无法兼顾小型化和在这种严苛的环境下长时间稳定的工作。此外,通常电源隔离反馈一般采用光电耦合器件(简称光耦),但是光耦在长时间使用后会出现光衰,续航能力较差,并且光耦也需要成本。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于克服现有技术中正激电源存在的问题,提供了一种高集成正激电源及其电路。
[0004]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的:
[000 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高集成正激电源,包括平面变压器(1)和耦合电感(2),其特征在于,所述平面变压器(1)和耦合电感(2)集成在同一块多层PCB基板(3)上,所述多层PCB基板(3)包括多层板芯(31),每层板芯(31)的上下两面均设有铜箔(4),所述铜箔(4)之间通过过孔(5)连接;所述平面变压器(1)的磁芯、耦合电感(2)的磁芯均贯穿所述多层板芯(31),所述平面变压器(1)的初次级绕组为多层所述铜箔(4),所述耦合电感(2)的初次级绕组为多层所述铜箔(4);所述平面变压器(1)和耦合电感(2)通过铜箔(4)连接,其中,所述耦合电感(2)采用电流反馈绕组。2.根据权利要求1所述的一种高集成正激电源,其特征在于,所述多层PCB基板(3)包括4
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10层板芯(31),所述平面变压器(1)的初级绕组、耦合电感(2)的初级绕组均至少占据两层铜箔(4),所述平面变压器(1)的次级绕组、耦合电感(2)的次级绕组均至少占据六层铜箔(4)。3.根据权利要求2所述的一种高集成正激电源,其特征在于,所述多层PCB基板(3)的厚度为1.6mm
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3.5mm。4.根据权利要求1所述的一种高集成正激电源,其特征在于,所述平面变压器(1)的磁芯和耦合电感(2)的磁芯均为铁氧体磁芯。5.根据权利要求1所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓峤松,
申请(专利权)人:成都复锦功率半导体技术发展有限公司,
类型:新型
国别省市:
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