【技术实现步骤摘要】
本技术涉及高中频感应加热技术，特别提供了一种锁相环高中频IGBT感应加热装置。中频感应加热装置广泛应用于金属材料及制品的熔炼、透热、热处理和焊接等工序，具有加热速度快，氧化层薄、金属烧损少、炉温容易控制等特点，至今，中频感应加热装置经历了三个发展时期分别为中频发电机组、可控硅中频装置和新型的IGBT中频装置。中频发电机组早在本世纪二十年代就已用于感应加热，直到大约1966年研制成功可控硅中频装置，中频发电机组就逐渐被淘汰。到九十年代，随着电力电子技术的发展，出现了自关断型大功率器件一绝缘栅双基晶体管(IGBT)，它是一种复合器件，集VMOS场效应管电压激励和达林顿功率晶体管大电流低导通电阻特性于一体，控制时有MOSFET管的特点，导通时具有双极晶体管的特点。它具有高速、高压、大功率、易驱动和低通态压降等优良性能，将IGBT用于感应加热设备，就出现了IGBT中频装置。先期开发的IGBT中频感应加热装置的逆变控制电路采用单片机软件锁相控制，其原理是单片机输出一个脉冲信号作为电流信号，然后通过中频电压互感器检测逆变谐振回路的中频电压信号，由软件判断电流信号和电压信...
【技术保护点】
一种锁相环高中频感应加热装置，其特征在于：该加热装置其逆变控制电路由由功率调节信号检测电路、中频信号采样及逆变启动控制电路、锁相环频率跟踪及脉冲分配电路、时间延迟电路、ＩＧＢＴ驱动电路和频率显示电路顺序联结而成，其联接为功率调节信号检测电路输出与中频信号采样及整形电路联接，其输出与琐相环频率跟踪及脉冲分配电路联接，该输出又与ＩＧＢＴ驱动电路输入端联接，驱动电路输出直接与频率显示电路联接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘炳东，李兴华，姜志民，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：实用新型
国别省市：89[中国|沈阳]
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