一种用于LPCVD的进气结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于LPCVD的进气结构,包括进气管，所述进气管从炉口处伸入炉内；所述炉口处设有炉口法兰，所述进气管的进气端安装在炉口法兰上。本实用新型专利技术在进气结构上将外围氧气沿设施管路接入炉口法兰，通过在炉口法兰内增加转接头的方式，从炉管底部把进气管延伸至炉尾位置，在做工艺时，氧气经过直通进气管，在炉内进行预热，再从尾部出气口位置通入炉内，参与工艺反应，减少外围气体直接经过进气管，从炉口或炉尾直接通入管内带来的温度波动，降低对工艺的干扰。降低对工艺的干扰。降低对工艺的干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种用于LPCVD的进气结构


[0001]本技术属于光伏设备领域，涉及改善型光伏设备的结构设计。

技术介绍

[0002]TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池技术，其电池结构为N或者P型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合。在TOPCon中，Po ly
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Si(多晶硅)与Si基底界面间的氧化硅对钝化起着非常关键的作用，氧化硅通过化学钝化降低Si基底与Po ly
‑
Si之间的界面态密度，多数载流子浓度远高于少数载流子，降低电子空穴复合几率的同时，也增加了电阻率形成多数载流子的选择性接触，所以隧穿氧化层的膜厚质量均匀性，对电池效率起到关键的作用。
[0003]现有技术中在隧穿氧化层的制备过程中，采用常规进气方式，从炉口或炉尾直接通入氧气，大量温度较低的气体通入，对炉管内温度影响较大，而氧化层生长对温度较为敏感，从而对氧化层均匀性产生不利影响，影响电子的隧穿效果以及电池转换效率。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于LPCVD的进气结构,其特征在于：包括进气管，所述进气管从炉口处伸入炉内；所述炉口处设有炉口法兰，所述进气管的进气端安装在炉口法兰上；所述进气管的出气端连接补偿管，所述补偿管的末端沿炉内壁延伸至炉尾处；所述补偿管通过转接头固定连接在出气端的末端。2.根据权利要求1所述的一种用于LPCVD的进气结构,其特征在于：所述进气管的出气端穿过炉口法兰伸入炉内。3.根据权利要求2所述的一种用于LPCVD的进气结构,其特征在于：所述进气端和出气端之间通过管路接口连接。4.根据权利要求1所述的一种用于LPCVD的进气结构,其特征在于：所述进气管的进气端垂直于炉的长度方向布置。5.根据权利要求1、2或4所述的一种用于LPC...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢佳，林佳继，梁笑，范伟，毛文龙，祁文杰，
申请(专利权)人：拉普拉斯无锡半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：