一种用于LPCVD的进气结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于LPCVD的进气结构,包括进气管，所述进气管从炉口处伸入炉内；所述炉口处设有炉口法兰，所述进气管的进气端安装在炉口法兰上。本实用新型专利技术在进气结构上将外围氧气沿设施管路接入炉口法兰，通过在炉口法兰内增加转接头的方式，从炉管底部把进气管延伸至炉尾位置，在做工艺时，氧气经过直通进气管，在炉内进行预热，再从尾部出气口位置通入炉内，参与工艺反应，减少外围气体直接经过进气管，从炉口或炉尾直接通入管内带来的温度波动，降低对工艺的干扰。降低对工艺的干扰。降低对工艺的干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种用于LPCVD的进气结构


[0001]本技术属于光伏设备领域，涉及改善型光伏设备的结构设计。

技术介绍

[0002]TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池技术，其电池结构为N或者P型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合。在TOPCon中，Po ly
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Si(多晶硅)与Si基底界面间的氧化硅对钝化起着非常关键的作用，氧化硅通过化学钝化降低Si基底与Po ly
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Si之间的界面态密度，多数载流子浓度远高于少数载流子，降低电子空穴复合几率的同时，也增加了电阻率形成多数载流子的选择性接触，所以隧穿氧化层的膜厚质量均匀性，对电池效率起到关键的作用。
[0003]现有技术中在隧穿氧化层的制备过程中，采用常规进气方式，从炉口或炉尾直接通入氧气，大量温度较低的气体通入，对炉管内温度影响较大，而氧化层生长对温度较为敏感，从而对氧化层均匀性产生不利影响，影响电子的隧穿效果以及电池转换效率。
[0004]为了解决这个问题，现有技术中也提出了一些方案，例如，在炉口周围均布有3个进气口，每个进气口内圈安装Y字形匀流器，这样的排布方式可以保证在炉口端进气的均匀性，在抽气泵不断将气体往炉尾抽时整体管内气体均匀一致，也可以避开将进气口安置在炉口底部，防止炉管碎片遮挡进气口以及进气口被刮碰的情况。又如，在炉口法兰外设置进气管，进气管直接通入炉内。或者，采用炉尾进气，且进气管设置在炉尾中部和上部，炉尾下部设置出气管，其目的是使炉管组件的炉管两端的气体浓度相同，从而提高电池片方阻的均匀性。但是上述这些方案的共同点是，未考虑进气口以及进气管的参数扰动。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是，为了克服上述现有技术的不足，提供一种用于LPCVD的进气结构。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
[0007]一种用于LPCVD的进气结构,包括进气管，所述进气管从炉口处伸入炉内；所述炉口处设有炉口法兰，所述进气管的进气端安装在炉口法兰上。通过炉口法兰将进气管固定在炉处，并且进气管伸入到炉内，经过一定的加热再进行反应，减少结构和温度扰动。
[0008]进一步的，所述进气管的出气端穿过炉口法兰伸入炉内。
[0009]进一步的，所述进气端和出气端之间通过管路接口连接。例如，采用双通接口，在改变管路方向的同时，起到连接和密封作用。
[0010]进一步的，所述进气管的出气端连接补偿管，所述补偿管的末端沿炉内壁延伸至炉尾处。通过补偿管的设计，延长了炉内进气管的加热时间，进一步减少温度扰动。
[0011]进一步的，所述补偿管通过转接头固定连接在出气端的末端。在一些优选的方式中，炉内还可以设置补偿管支撑件，以进一步减少结构扰动，防止管道倾斜。补偿管通过转
接头固定连接使得补偿管具备了拆卸和更换的可能性，可以根据实际加工中不同的需求匹配不同长度的补偿管。
[0012]进一步的，所述进气管的进气端垂直于炉的长度方向布置。
[0013]进一步的，所述进气管的出气端平行于炉的长度方向布置。
[0014]进一步的，所述进气管的进口端连接外部输气管道。外部输气管道由下而上进行气体输送，通过进口端进入到炉内，一方面方便外部气路设计，另一方面也有利于内部气路结构的稳定。
[0015]进一步的，所述进气管的进口端设置在炉口底部，所述进口端外围设有至少两道密封圈。通过密封圈一方面密封法兰上的孔道，另一方面也加强进气管和法兰的连接可靠性，进一步减少结构扰动。
[0016]进一步的，所述炉口法兰包括内法兰和外法兰，所述内法兰固定在炉口的边缘外围，所述外法兰盖在内法兰和至少部分炉口表面，所述内法兰和外法兰通过紧固件固定连接，所述外法兰的底部设有进气通道，所述进气通道呈L形，所述进气管固定安装在所述L形的进气通道内。
[0017]综上所述，本技术的有益效果是：
[0018](1)本技术在进气结构上将外围氧气沿设施管路接入炉口法兰，通过在炉口法兰内增加转接头的方式，从炉管底部把进气管延伸至炉尾位置，在做工艺时，氧气经过直通进气管，在炉内进行预热，再从尾部出气口位置通入炉内，参与工艺反应，减少外围气体直接经过进气管，从炉口或炉尾直接通入管内带来的温度波动，降低对工艺的干扰。
[0019](2)本技术通过进气管和补偿管的设计，形成炉口延伸至炉尾氧气进气的方式，使气体经过炉内时进一步得到预热，降低冷气流对炉内温度带来的干扰，从而改善隧穿氧化的均匀性，改善电池转换效率。
[0020](3)本技术中的补偿管通过转接头和进气管可拆式固定连接，使得补偿管方便拆卸和更换，一方面有利于补偿管的清洁、维修和检测，另一方面，可以根据实际需求匹配不同长度或型号的补偿管，扩大了本技术结构的适用范围。
附图说明
[0021]图1为本技术的剖视图。
[0022]图2为本技术的进气管的结构图。
[0023]图3为本技术的进气方式示意图。
[0024]图4为本技术和传统进气方式的温度波动比较表。
[0025]图5为本技术和传统进气方式的氧化均匀性比较表。
[0026]图6为本技术和传统进气方式的电池转换率比较表。
[0027]图中标号：进气管1，炉2，炉口法兰3，进气端4，出气端5，管路接口6，内法兰7，外法兰8，紧固件9，进气通道10，密封圈11，外部输气管道12，补偿管13，转接头14。
具体实施方式
[0028]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外
不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0029]需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0030]本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、横向、纵向
……
)仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0031]因实际使用场景不同或安装误差等原因，本技术实施例中所指的平行关系可能实际为近似平行关系，垂直关系可能实际为近似垂直关系。
[0032]如图1
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3所示，一种用于LPCVD的进气结构,包括进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于LPCVD的进气结构,其特征在于：包括进气管，所述进气管从炉口处伸入炉内；所述炉口处设有炉口法兰，所述进气管的进气端安装在炉口法兰上；所述进气管的出气端连接补偿管，所述补偿管的末端沿炉内壁延伸至炉尾处；所述补偿管通过转接头固定连接在出气端的末端。2.根据权利要求1所述的一种用于LPCVD的进气结构,其特征在于：所述进气管的出气端穿过炉口法兰伸入炉内。3.根据权利要求2所述的一种用于LPCVD的进气结构,其特征在于：所述进气端和出气端之间通过管路接口连接。4.根据权利要求1所述的一种用于LPCVD的进气结构,其特征在于：所述进气管的进气端垂直于炉的长度方向布置。5.根据权利要求1、2或4所述的一种用于LPC...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢佳，林佳继，梁笑，范伟，毛文龙，祁文杰，
申请(专利权)人：拉普拉斯无锡半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：