本申请公开一种副边MOSFET故障确定方法、装置及其介质，涉及车载蓄电池技术领域，用于检测车载LVDC/DC的短路故障，针对目前对于副边MOSFET短路的诊断无法在开机前实现的问题，提供一种副边MOSFET故障确定方法，针对现有LVDC/DC的副边H桥电路结构按照一定的控制方式通过驱动芯片控制各MOSFET处于不同的开闭状态，并采集此时副边H桥电路的中点电压，比较其是否符合预期，若不符合则说明出现故障。上述方法无需车辆的车载蓄电池充电系统开机，可以填补目前在车载LVDC/DC短路故障检测上的不足，更进一步的保证了新能源车辆的安全。更进一步的保证了新能源车辆的安全。更进一步的保证了新能源车辆的安全。
【技术实现步骤摘要】
一种副边MOSFET故障确定方法、装置及其介质
[0001]本申请涉及车载蓄电池
，特别是涉及一种副边MOSFET故障确定方法、装置及其介质。
技术介绍
[0002]随着新能源车辆产业的飞速发展，新能源车辆的市场保有量正在稳步提高。而车载蓄电池充电系统中的低压(LV)直流/直流(DC/DC)转换器(后简称为LV DC/DC)是新能源汽车的重要组成部分，因而消费者对于LV DC/DC安全性的要求也日益提升，尤其是满足相应功能的安全要求，即避免蓄电池被短接。
[0003]金氧半场效晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
SemiconductorField
‑
Effect Transistor，MOSFET)作为一种电源开关器件，是组成LV DC/DC的重要部件，由于其随机硬件失效率相对较高，蓄电池出现短接情况的主要原因多是MOSFET出现了短路。
[0004]目前，存在的LV DC/DC针对副边MOSFET短路的诊断，通常都是在车辆上电后由主控制器或其他器件对全车各器件进行自检时实现的，普遍存在车辆开机前无法探测出MOSFET短路这一潜伏故障的问题，导致LV DC/DC运行后可能造成蓄电池短接，安全诊断机制不够完善，不能满足实际需求。
[0005]所以，现在本领域的技术人员亟需要一种副边MOSFET故障确定方法，解决目前对于副边MOSFET短路的诊断无法在开机前实现，导致诊断机制覆盖不够全面，安全性仍不足以满足用户需要的问题。
专利
技术实现思路
[0006]本申请的目的是提供一种副边MOSFET故障确定方法、装置及其介质，以解决目前对于副边MOSFET短路的诊断无法在开机前实现，导致诊断机制覆盖不够全面，安全性仍不足以满足用户需要的问题。
[0007]为解决上述技术问题，本申请提供一种副边MOSFET故障确定方法，包括：
[0008]根据预设的检测模型，发送对应的控制信号至LV DC/DC副边H桥电路的驱动芯片，以便于驱动芯片控制对应MOSFET的开通与闭合；
[0009]通过电压传感器采集副边H桥电路的中点电压；
[0010]根据中点电压确定副边H桥电路是否出现故障。
[0011]优选的，检测模型包括：第一检测模型；
[0012]第一检测模型为：
[0013]副边H桥电路A桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；
[0014]副边H桥电路A桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；
[0015]副边H桥电路B桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；
[0016]副边H桥电路B桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；
[0017]对应的，根据中点电压确定副边H桥电路是否出现故障包括：
[0018]若中点电压等于蓄电池电压平均值，则副边H桥电路中A桥臂或B桥臂的上MOSFET出现短路。
[0019]优选的，检测模型还包括：第二检测模型；
[0020]第二检测模型为：
[0021]副边H桥电路A桥臂的上MOSFET对应的占空比为0.4，并延迟0.5个周期；
[0022]副边H桥电路A桥臂的下MOSFET对应的占空比为0.4；
[0023]副边H桥电路B桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；
[0024]副边H桥电路B桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；
[0025]对应的，根据中点电压确定副边H桥电路是否出现故障包括：
[0026]在根据第一检测模型得到的中点电压等于0V的基础上，若根据第二检测模型得到的中点电压等于0V，则有：
[0027]副边H桥电路中A桥臂的上MOSFET出现断路；
[0028]或，副边H桥电路中A桥臂的下MOSFET出现断路或短路；
[0029]或，副边H桥电路中B桥臂的下MOSFET出现短路；
[0030]或，用于控制副边H桥电路A桥臂的上、下MOSFET的驱动芯片出现故障。
[0031]优选的，检测模型还包括：第三检测模型；
[0032]第三检测模型为：
[0033]副边H桥电路A桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；
[0034]副边H桥电路A桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；
[0035]副边H桥电路B桥臂的上MOSFET对应的占空比为0.4，并延迟0.5个周期；
[0036]副边H桥电路B桥臂的下MOSFET对应的占空比为0.4；
[0037]对应的，根据中点电压确定副边H桥电路是否出现故障包括：
[0038]在根据第一检测模型得到的中点电压等于0V、且第二检测模型得到的中点电压等于蓄电池电压平均值的二分之一的基础上，若根据第三检测模型得到的中点电压等于0V，则有：
[0039]副边H桥电路中B桥臂的上MOSFET出现断路；
[0040]或，副边H桥电路中B桥臂的下MOSFET出现断路；
[0041]或，用于控制副边H桥电路B桥臂的上、下MOSFET的驱动芯片出现故障。
[0042]优选的，还包括：
[0043]在根据第一检测模型得到的中点电压等于0V、且第二检测模型得到的中点电压等于蓄电池电压平均值的二分之一的基础上，若根据第三检测模型得到的中点电压等于蓄电池电压平均值的二分之一，则确定副边H桥电路各器件正常。
[0044]优选的，根据预设的检测模型，发送对应的控制信号至LV DC/DC副边H桥电路的驱动芯片包括：
[0045]根据第一检测模型发送对应的控制信号；
[0046]待通过电压传感器采集到第一检测模型对应的中点电压后，根据第二检测模型发送对应的控制信号；
[0047]待通过电压传感器采集到第二检测模型对应的中点电压后，根据第三检测模型发送对应的控制信号。
[0048]优选的，在根据中点电压确定副边H桥电路是否出现故障之后，还包括：
[0049]若确定副边H桥电路出现故障，则根据不同的故障原因返回对应的故障信息。
[0050]为解决上述技术问题，本申请还提供一种副边MOSFET故障装置，包括：
[0051]芯片控制模块，用于根据预设的检测模型，发送对应的控制信号至LV DC/DC副边H桥电路的驱动芯片，以便于驱动芯片控制对应MOSFET的开通与闭合；
[0052]电压采集模块，用于通过电压传感器采集副边H桥电路的中点电压；
[0053]故障确定模块，用于根据中点电压确定副边H桥电路是否出现故障。
[0054]优选的，上述的副边MOSFET故障装置还包括：
[0055]故障提示模块，用于若确定副边H桥电路出现故障，则根据不同的故障原因返回对应的故障信息。
[0056]为解决上述技术问题，本申请还提供一种副边MOSFET故障装置，包括：
[0057]存储器，用于存储计算机程序；
[0058]处理器，用于执行计算机程序时实本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种副边MOSFET故障确定方法，其特征在于，包括：根据预设的检测模型，发送对应的控制信号至LVDC/DC副边H桥电路的驱动芯片，以便于所述驱动芯片控制对应MOSFET的开通与闭合；通过电压传感器采集所述副边H桥电路的中点电压；根据所述中点电压确定所述副边H桥电路是否出现故障。2.根据权利要求1所述的副边MOSFET故障确定方法，其特征在于，所述检测模型包括：第一检测模型；所述第一检测模型为：所述副边H桥电路A桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；所述副边H桥电路A桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；所述副边H桥电路B桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；所述副边H桥电路B桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；对应的，根据所述中点电压确定所述副边H桥电路是否出现故障包括：若所述中点电压等于蓄电池电压平均值，则所述副边H桥电路中A桥臂或B桥臂的上MOSFET出现短路。3.根据权利要求2所述的副边MOSFET故障确定方法，其特征在于，所述检测模型还包括：第二检测模型；所述第二检测模型为：所述副边H桥电路A桥臂的上MOSFET对应的占空比为0.4，并延迟0.5个周期；所述副边H桥电路A桥臂的下MOSFET对应的占空比为0.4；所述副边H桥电路B桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；所述副边H桥电路B桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；对应的，根据所述中点电压确定所述副边H桥电路是否出现故障包括：在根据所述第一检测模型得到的所述中点电压等于0V的基础上，若根据所述第二检测模型得到的所述中点电压等于0V，则有：所述副边H桥电路中A桥臂的上MOSFET出现断路；或，所述副边H桥电路中A桥臂的下MOSFET出现断路或短路；或，所述副边H桥电路中B桥臂的下MOSFET出现短路；或，所述用于控制所述副边H桥电路A桥臂的上、下MOSFET的所述驱动芯片出现故障。4.根据权利要求3所述的副边MOSFET故障确定方法，其特征在于，所述检测模型还包括：第三检测模型；所述第三检测模型为：所述副边H桥电路A桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；所述副边H桥电路A桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；所述副边H桥电路B桥臂的上MOSFET对应的占空比为0.4，并延迟0.5个周期；所述副边H桥电路B桥臂的下MOSFET对应的占空比为0.4；对应的，根据所述中点电压确定所述副边H桥电路是否出现故障包括：在根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：武苗苗，施晓骏，张楠，
申请(专利权)人：上海科世达华阳汽车电器有限公司，
类型：发明
国别省市：
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