合成硒化镉和硒化镉硫化镉核壳结构量子点的方法技术

本发明专利技术提供一种硒化镉和硒化镉／硫化镉核壳结构量子点半导体发光材料的合成方法，采用氧化镉、碳酸镉、烷基羧酸、油酸、硒脲、硫脲为原料，在油酸或三正辛基氧化膦或十二烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺的包覆下，烷基羧酸镉或油酸镉的甲苯溶液与硒脲或硫脲的水溶液在界面反应形成半导体纳米微粒，且稳定地存在于甲苯中，所制备的半导体纳米颗粒在紫外灯能实现波长可调的可见光。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于合成硒化镉和硒化镉/硫化镉核壳结构量子点的方法。
技术介绍
纳米半导体材料是近二十年来材料科学研究的热点，由于同传统的体相半导体材料相比，纳米半导体可以产生量子尺寸效应，使得人们可以控制一定的反应条件而制备不同尺寸的纳米粒子，产生不同频率的光发射，从而达到调控发光颜色的目的。另外，由于其纳米尺度的特点，使得纳米半导体材料易于同有机高分子或小分子材料进行复合，通过旋涂等方法制备薄膜发光器件。硫化镉和硒化镉纳米半导体在光电转换中有着十分诱人的应用前景。目前在电致发光及光电池等材料研究领域中，已经取得了突破性的进展。Alivisatos(Phys.Rev.B，1996，24，17628)报导了硒化镉纳米微粒与MEH-PPV复合体系的光电转换行为，结果表明随着硒化镉纳米微粒浓度的提高，光电转换的效率提高，最大可达12％.Bawendi(J.Appl.Phys，1998，12，7965)报导了核/壳结构硒化镉/硫化镉纳米微粒与PPV制成的双层器件，以PPV为空穴传输材料，纳米微粒发光层的量子效率可达0.1％，寿命为50-100小时。到目前为止，可以采取许多种方法合成硒化镉和硒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备硒化镉和硒化镉／硫化镉核壳结构量子点的方法，其特征在于原料为烷基羧酸镉与硒脲或油酸镉与硒脲，镉盐与硒脲的摩尔比为１－１０∶１０－１；烷基羧酸镉或者油酸镉由氧化镉或碳酸镉与碳链长为２～１８的烷基羧酸或油酸反应制备，氧化镉或碳酸镉与有机酸的摩尔比为１－５∶５－１，然后加入有机包覆剂和甲苯，包覆剂与镉盐的摩尔比为１００－１∶１－１０，最后加入硒脲的水溶液，硒脲与镉盐的摩尔比为１０－１∶１－１０，在５０－２８０℃条件下反应０．２５ｈ－２ｈ，得到含有硒化镉半导体纳米微粒的透明溶胶，以合成的硒化镉为原料，溶于甲苯中，再加入有机酸镉和有机包覆剂，所需的有机酸镉与合成硒化镉所需的有机酸镉的摩尔比为１－...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘道成，王强，姬相玲，蒋世春，安立佳，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]