一种光电探测器及其制造方法技术

本申请提供一种光电探测器及其制造方法，在目标衬底上形成有多层光电探测膜层，光电探测膜层包括依次层叠的第一类型掺杂的第一膜层、第二膜层和第二类型掺杂的第三膜层，第一类型掺杂和第二类型掺杂中的其中一个为P型掺杂，另一个为N型掺杂，也就是说，第一类型掺杂的第一膜层、第二膜层和第二类型掺杂的第三膜层构成了一个基于硅锗/硅异质结的光电探测膜层，即构成了一个光电探测单元，能够实现光电转化，多层光电探测膜层重复交叠，即多个光电探测单元的垂直串联，能够直接提高光电探测器的光电转化效率，并且不同数量的光电探测膜层也能对应不同的光生电动势，实现对于光电探测器光生电动势的调控需求。器光生电动势的调控需求。器光生电动势的调控需求。

【技术实现步骤摘要】
一种光电探测器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种光电探测器及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着当前半导体相关技术的发展，半导体器件也广泛应用于多种领域，半导体器件例如光电探测器，能够将光信号转换为电信号，可以应用于探测或者成像等领域。
[0003]当前存在对于光电探测器的光生电动势的调控需求，以满足多种应用场景，但是目前对于光生电动势的调控大部分都是基于对光电探测器进行复杂的材料改进以及掺杂工艺，并且存在掺杂工艺制造得到的光电探测器电压较低以及光电转化效率较低的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种光电探测器及其制造方法，能够满足对光电探测器光生电动势的调控需求，提高光电转化效率。
[0005]本申请实施例提供了一种光电探测器，所述光电探测器包括：
[0006]在目标衬底上形成有多层光电探测膜层；
[0007]所述光电探测膜层包括依次层叠的第一类型掺杂的第一膜层、第二膜层和第二类型掺杂的第三膜层；
[0008]所述第一类型掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括：在目标衬底上形成有多层光电探测膜层；所述光电探测膜层包括依次层叠的第一类型掺杂的第一膜层、第二膜层和第二类型掺杂的第三膜层；所述第一类型掺杂和所述第二类型掺杂中的其中一个为P型掺杂，另一个为N型掺杂，所述第二膜层的材料为硅锗，所述第一膜层和所述第三膜层的材料至少包括硅。2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一类型掺杂的第一膜层为P型掺杂的硅，所述第二类型掺杂的第二膜层为N型掺杂的硅。3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器的光生电动势和所述光电探测膜层的层数正相关。4.根据权利要求3所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测膜层的层数小于或等于100。5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第二膜层中锗的浓度范围为0.1
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0.99。6.一种光电探测器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在目标衬底上依次形成多层光电探测膜层；所述光电探测...

【专利技术属性】
技术研发人员：张青竹，韩燕楚，刘阳，曹磊，姚佳欣，张亚东，桑冠荞，张兆浩，殷华湘，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：