存储器及其制造方法技术

一种存储器及其制造方法，存储器包括硅衬底；多个晶体管，位于硅衬底上并沿行方向和列方向呈阵列分布，晶体管包括一个半导体柱；相邻两列半导体柱之间被沿列方向延伸的第一沟槽间隔开，相邻两行半导体柱之间被沿行方向延伸的第二沟槽间隔开；在一列半导体柱下方的硅衬底中设置有沿列方向延伸的凹槽；多条位线，沿着列方向延伸且在行方向间隔排列，每条位线位于一个凹槽中并与半导体柱的底端连接，位于位线与凹槽的内壁之间的重掺杂层与位线的至少部分区域接触。本申请的存储器通过设置重掺杂层，使得重掺杂层与位线之间形成欧姆接触，从而降低了半导体柱的底部与位线之间的接触电阻，提升了存储器的性能。提升了存储器的性能。提升了存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其制造方法


[0001]本申请涉及但不限于半导体器件领域，尤指一种存储器及其制造方法。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种常见的系统内存，广泛应用在个人电脑、笔记本和消费电子产品中。DRAM将数据存储在具有电容器和阵列晶体管的存储单元中。垂直环栅场效应晶体管(Vertical Gate
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All
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Around Field Effect Transistor,VGAAFET)在3D集成和布线上有较大优势，常常被用于DRAM中。

技术实现思路

[0003]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范围。
[0004]在一方面，本申请的示例性实施方式提供了一种存储器，包括：硅衬底，具有上表面和下表面；多个晶体管，位于所述硅衬底上，并且在所述硅衬底上沿行方向和列方向呈阵列分布；每个所述晶体管包括一个半导体柱，所述半导体柱在所述硅衬底的上表面沿着垂直于所述上表面的方向延伸；相邻两列本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：硅衬底，具有上表面和下表面；多个晶体管，位于所述硅衬底上，并且在所述硅衬底上沿行方向和列方向呈阵列分布；每个所述晶体管包括一个半导体柱，所述半导体柱在所述硅衬底的上表面沿着垂直于所述上表面的方向延伸；相邻两列半导体柱之间通过沿所述列方向延伸的第一沟槽间隔开，相邻两行半导体柱之间通过沿所述行方向延伸的第二沟槽间隔开；在一列半导体柱下方的所述硅衬底中设置有沿所述列方向延伸的凹槽；多条位线，沿着所述列方向延伸且在所述行方向间隔排列，每条所述位线位于一个所述凹槽中并与所述半导体柱的底端连接；重掺杂层，位于所述位线与所述凹槽的内壁之间，与所述位线的至少部分区域接触。2.根据权利要求1所述的存储器，其中，每个所述凹槽包括在所述列方向上相互连通的多个子凹槽，每个所述子凹槽位于一个所述第二沟槽下方的硅衬底中并延伸至该第二沟槽两侧的所述半导体柱下方；每个所述子凹槽的内壁上均分布有一个所述重掺杂层。3.根据权利要求2所述的存储器，其中，每个所述重掺杂层延伸至所述半导体柱与所述硅衬底之间。4.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述重掺杂层设置在所述凹槽的内壁表面上或由所述凹槽的内壁本身的最外层用作所述重掺杂层。5.根据权利要求1至4中任一项所述的存储器，其中，所述重掺杂层的材料包括由磷重掺杂的硅。6.根据权利要求1至4中任一项所述的存储器，其中，所述位线与所述重掺杂层之间还设置有粘附层和阻挡层，并且所述粘附层设置在所述重掺杂层与所述阻挡层之间；所述位线、所述粘附层和所述阻挡层中均含有金属元素，所述金属元素选自钛、钴、镍、钨、铜和铝中的任意一种或多种。7.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，具有上表面和下表面；在所述硅衬底的上表面形成半导体柱，所述半导体柱在所述硅衬底的上表面沿着垂直于所述上表面的方向延伸；相邻两列半导体柱之间通过沿列方向延伸的第一沟槽间隔开，相邻两行半导体柱之间通过沿行方向延伸的第二沟槽间隔开；在一列所述半导体柱下方的所述硅衬底中形成沿所述列方向延伸的凹槽；利用所述半导体柱顶面和侧壁上的掩膜，在所述硅衬底的所述凹槽的内壁表面上设置重掺杂层或在所述硅衬底的所述凹槽本身的最外层形成重掺杂层；在所述凹槽内填充位线材料形成沿列方向延伸的位线，并使所述重掺杂层与所述位线的部分区域接触，并且每条所述位线与对应的一列半导体柱的底端连接；在所述半导体柱的侧壁上形成栅极。8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述在所述硅衬底的上表面形成半导体柱，包括：在所述硅衬底的上表面上依次沉积第一导电层、半导体层和第二导电层；在所述第二导电层上刻蚀出多个沿列方向延伸且沿行方向间隔的第一沟槽，并使所述
第一沟槽贯穿所述第二导电层、所述半导体层、所述第一导电层以及露出所述硅衬底的内部，两个相邻的所述第一沟槽之间形成半导体壁；用第一介电质材料填充所述第一沟槽形成第一介电质层；在多个所述半导体壁和所述第一介电质层上沉积第二介电质材料，形成覆盖所述半导体壁和所述第一介电质层的第二介电质层；在所述第二介电质层上刻蚀出多个沿行方向延伸且沿列方...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永杰，赵超，王桂磊，毛淑娟，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：