一种半导体结构及其制作方法技术

本申请实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括：衬底；位于衬底上的栅极结构；互连结构，互连结构包括第一结构和第二结构，第二结构凸出于第一结构；其中，第一结构与衬底相连，第二结构与栅极结构的顶部相连。本申请的互连结构与衬底和栅极结构相接触，可以减少互连结构占用体积，增大互连密度，提高互连工艺窗口。提高互连工艺窗口。提高互连工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制作方法


[0001]本申请实施例涉及半导体结构及其制作方法，具体来说，涉及一种具有互连结构的半导体结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]现有技术的动态随机存取存储器(DRAM)中，包含存储单元以及外围控制器件。随着半导体制造技术的进步，半导体元件设计规范中限定的关键尺寸越来越小，提高了外围控制器件的制造难度。

技术实现思路

[0003]本申请实施例的目的是提供一种半导体结构及其制作方法，通过连接于衬底和栅极结构的互连结构的设计，可以减少互连结构占用体积，增大互连密度，提高互连工艺窗口。。
[0004]本申请实施例的第一方面提供了一种半导体结构，包括：
[0005]衬底；
[0006]位于所述衬底上的栅极结构；
[0007]互连结构，所述互连结构包括第一结构和第二结构，所述第二结构凸出于所述第一结构；
[0008]其中，所述第一结构与所述衬底相连，所述第二结构与所述栅极结构的顶部相连。
[0009]在一示例性实施例中，所述栅极结构包括栅介质层和栅电极层；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的栅极结构；互连结构，所述互连结构包括第一结构和第二结构，所述第二结构凸出于所述第一结构；其中，所述第一结构与所述衬底相连，所述第二结构与所述栅极结构的顶部相连。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和栅电极层；所述第一结构与所述栅电极层的侧面直接接触；所述第二结构与所述栅电极层的顶面直接接触。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：阻挡层，所述阻挡层至少覆盖在所述第一结构的部分表面以及所述第二结构的部分表面。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：隔离层，位于所述栅极结构侧面；所述第一结构与所述隔离层直接接触。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一介质层，位于所述衬底上；所述栅极结构和所述互连结构位于所述第一介质层中，且所述第二结构的顶表面低于所述第一介质层的顶表面。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二介质层，位于所述第一介质层上并覆盖所述第二结构；其中，所述第一结构的顶表面和所述第二介质层的顶表面齐平。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：电容接触垫，所述电容接触垫的刻蚀底部与所述第二结构的顶表面齐平；所述电容接触垫的顶表面与所述第一结构的顶表面齐平。8.根据权利要1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构和所述互连结构构成SRAM存储单元的一部分。9.根据权利要求1
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8任一所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括隔离结构；所述栅极结构在所述衬底上的投影至少部分覆盖所述隔离结构。10.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构和第一介质层，所述第一介质层覆盖所述栅极结构；在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：