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本申请实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括：衬底；位于衬底上的栅极结构；互连结构，互连结构包括第一结构和第二结构，第二结构凸出于第一结构；其中，第一结构与衬底相连，第二结构与栅极结构的顶部相连。本申请的互连结构与衬底和栅...
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