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一种存储器及其制造方法，存储器包括硅衬底；多个晶体管，位于硅衬底上并沿行方向和列方向呈阵列分布，晶体管包括一个半导体柱；相邻两列半导体柱之间被沿列方向延伸的第一沟槽间隔开，相邻两行半导体柱之间被沿行方向延伸的第二沟槽间隔开；在一列半导体柱下...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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