一种芯片失效位置的定位方法技术

本发明专利技术提供一种芯片失效位置的定位方法，所述定位方法包括：S1)，提供一待测的样品芯片，所述样品芯片包括功能单元区及外围布线区，所述外围布线区位于所述功能单元区的外周；S2)，去除所述样品芯片位于所述功能单元区内的背面金属层；S3)，基于失效点定位系统对所述样品芯片执行失效定位测试；S4)，依据所述失效定位测试的测试结果，得到功能单元区失效点的位置坐标，完成定位。本发明专利技术提供的芯片失效位置的定位方能够解决现有芯片失效位置的定位方法中存在的与正面金属层相关的失效点位无法被检测到、高压条件下的失效点位无法被定位的问题。位的问题。位的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片失效位置的定位方法


[0001]本专利技术涉及功率半导体器件领域，特别是涉及一种芯片失效位置的定位方法。

技术介绍

[0002]失效定位一直是芯片失效分析流程中的最核心和最难的环节，准确高效的失效定位方法有利于失效分析工程师迅速找到失效原因和解决问题，帮助研发部门加快研发进展，帮助生产部门提升良率。
[0003]碳化硅基的功率芯片，目前主要有SBD(肖特基二极管)和MOSFET(场效应晶体管)，使用场景都是高压环境。在FAB研发、生产碳化硅功率芯片过程中，面临的失效也经常与高压漏电相关。
[0004]以N型沟道的碳化硅MOSFET为例，其为多层结构，包括：n+衬底、形成于n+衬底上的n
‑
外延层、形成于n
‑
外延层内的器件层(器件层形成有阱区、隔离结构、栅极、源极等)、形成于器件层上表面的正面金属层，及形成于n+衬底下表面的背面金属层；正面金属层一般采用铝金属，作为栅极走线、源极走线和焊垫；背面金属层一般为钛镍银等金属，作为漏极走线。
[0005]当碳化硅MOSFET做失效定位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片失效位置的定位方法，其特征在于，所述定位方法包括：S1)，提供一待测的样品芯片，所述样品芯片包括功能单元区及外围布线区，所述外围布线区位于所述功能单元区的外周；S2)，去除所述样品芯片位于所述功能单元区内的背面金属层；S3)，基于失效点定位系统对所述样品芯片执行失效定位测试；S4)，依据所述失效定位测试的测试结果，得到功能单元区失效点的位置坐标，完成定位。2.根据权利要求1所述的芯片失效位置的定位方法，其特征在于，执行S4)时，当所述测试结果中存在外围布线区失效点时，还得到外围布线区失效点相对于所述功能单元区的方位，并执行后续步骤；S5)，去除与所述方位相对应的外围布线区内的背面金属层；S6)，基于失效点定位系统对所述样品芯片执行失效定位测试，并得到所述外围布线区失效点的位置坐标，完成定位。3.根据权利要求1或2所述的芯片失效位置的定位方法，其特征在于，所述样品芯片包括碳化硅功率芯片，所述碳化硅功率芯片包括碳化硅场效应晶体管或碳化硅肖特基二极管。4.根据权利要求1所述的芯片失效位置的定位方法，其特征在于，在执行S2)时，去除所述样品芯片位于所述功能单元区内的背面金属层后...

【专利技术属性】
技术研发人员：田浩然，蒋庆红，罗俊一，务林凤，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：