有机电致发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种有机ＥＬ装置，其包含多个排列在阴极和阳极之间的含有机化合物层。在两个相邻的含有机化合物层中，更接近阳极的一层的电子迁移率低于更接近阴极的另一层。由于这种结构，有机ＥＬ装置具有高的发光效率和长的初始亮度半衰期。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种有机电致发光装置(有机EL装置)。
技术介绍
有机EL装置业已作为新一代显示装置受到关注。通常，有机EL装置的制造是通过在玻璃基底上形成由透明导体材料例如氧化铟锡(ITO)的组成阳极，并且在该阳极上依次层压空穴注入区、空穴传输区、发光区、电子传输区和阴极。具有这种构型的有机EL装置在向阳极和阴极之间施加直流电压时发光。具体而言，当直流电压被施加到阳极和阴极之间时，空穴从阳极注入且电子从阴极注入。空穴经过空穴注入区和空穴传输区向发光区运动，同时电子经过电子传输区向发光区运动。通过空穴和电子在发光区的重新结合发出光线。对于有机EL装置，需要高效率和长寿命。在这种环境下，作为电子传输区材料，例如具有高电子迁移率的材料，如日本公开专利公报09-87616和日本公开专利公报09-194487中公开的硅杂环戊二烯(silole)衍生物和日本公开专利公报2001-267080和日本公开专利公报2001-155862中公开的菲咯啉衍生物。虽然采用硅杂环戊二烯衍生物或菲咯啉衍生物的有机EL装置具有高效率，但问题在于相邻层由于高电子迁移率易于形成激基复合物或电荷转移复合物。当有机EL装置的含有机化合物层的至少一种材料形成激基复合物或电荷转移复合物时，这些激子具有弱发光性，并且由此导致有机EL装置的初始亮度低效且缩短半衰期。通过参考当给该有机EL装置连续施加固定量的电流时有机EL装置的亮度减小到初始亮度的一半所需的时间，初始亮度的寿命是一个代表着有机EL装置的寿命的标准。通常，有机EL装置的初始亮度的半衰期越长，有机EL装置的寿命越长。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种具有高的发光效率和长的初始亮度半衰期的有机EL装置。为了达到上述目的，按照本专利技术的一个具体实施方式提供下列有机EL装置。有机EL装置包括阴极，阳极和多个介于阴极和阳极之间的含有机化合物层。在两个彼此相邻的含有机化合物层中，位于接近阳极的含有机化合物层的电子迁移率低于位于接近阴极的含有机化合物层的电子迁移率。有机EL装置的含有机化合物层的上述构造可以提供一种具有长的初始亮度半衰期和高的发光效率的有机EL装置。作为类似于所述有机电致发光装置的装置，日本公开专利公报2001-155862中公开的专利技术是已知的。本专利技术的重点在于有机发光层具有电子传输能力和空穴传输能力的双重载体传输能力，沿着层的厚度方向逐渐由高空穴传输能力的区域转化为高电子传输能力的区域。然而，在日本公开专利公报2001-155862的专利技术中，只有有机发光层涉及载体传输能力。相反，本专利技术中，关注点在于电极对之间的所有含有机化合物层的电子迁移率，并且在这专利技术差别巨大。按照本专利技术的另一实施方式，提供下面的有机EL装置。有机EL装置包括阴极，阳极，处于阴极和阳极之间的发光区和电子传输区。发光区和电子传输区彼此相邻。电子传输区包括多个含有机化合物层。在含有机化合物层中，与发光区接触的含有机化合物层含有喹啉醇化(quinolinolato)金属络合物。在此使用的“电子迁移率”和“空穴迁移率”是指当向有机化合物施加预定强度的电场时测定的电子迁移率和空穴迁移率。此时，在测定电子迁移率时施加的电场强度必须在当有机EL装置实际使用时施加的电场强度的范围内。“电子传输区”可以具有至少一种传输电子的能力。“空穴传输材料”是指一种材料，其中空穴迁移率是电子迁移率的50倍或更高，或者一种按照逃逸的时间(TOF)法测定时仅可检测到空穴迁移率而无法检测出电子迁移率的材料。TOF法是一种通过用脉冲光线照射样本的表面且测定载体迁移到该样本内所产生的瞬时电流来测定空穴迁移率和电子迁移率的方法，瞬时电流是在脉冲光线作用下产生的。附图简述附图说明图1是表明根据本专利技术一个实施方式的有机EL装置的横截面图。实施本专利技术的最佳方式此后，本专利技术的一个实施方式参考图1进行说明。在图1中，参考数字1代表基底，参考数字2代表阳极，参考数字3代表空穴注入区，参考数字4代表空穴传输区，参考数字5代表发光区，参考数字6代表电子传输区，参考数字6a代表第一电子传输层，参考数字6b代表第二电子传输层，参考数字7代表阴极界面区，参考数字8代表阴极。空穴注入区3和空穴传输区4不是必需的，但这些层的存在进一步提高有机EL装置的发光效率和初始亮度的半衰期。基底1支撑有机EL装置且其材料不作具有限定。基底1可以是玻璃平板，塑料片，塑料薄膜，金属板或金属箔，或可以由陶瓷材料例如硅构成。塑料片和塑料薄膜优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸酯的那些，因为它们具有优良的水分屏障性能，耐冲性，耐热性和表面平滑度。在塑料基底1的情况中，氮化硅薄膜、氧化硅薄膜或氧氮化硅薄膜可以在基底1的表面上形成以改进水分屏障性能。在底部发射有机EL装置的情况中，其中从发光区5发出的光线经过基底1放射，基底1必需能够传送可见区内的光线。阳极2具有将空穴注入到空穴注入区3内的功能。阳极2的材料可以是任何具有小电阻和大功函的那些材料，例如金属，合金，导电化合物及其混合物，它们是任何种类的。阳极2的材料的实例包括金属氧化物例如ITO，氧化铟锌(IZO)，氧化锡，氧化锌和氧化锌和氧化铟的混合材料，和氮化钛；金属氮化物；金属例如金，铂，银，铜，铝，镍，铅，铬，钼，钨，钽和铌；和传导性聚合物例如聚苯胺，聚噻吩，聚吡咯和聚亚苯基亚乙烯基。阳极2可以由一种或多种材料组成。阳极2可以具有约10nm-1μm，优选10nm-300nm的厚度。阳极2例如通过溅射法、离子镀法、真空蒸气沉积法或自旋镀法制成。空穴注入区3具有有效地将从阳极2注入的空穴注入导空穴传输区4和改进阳极2和含有有机化合物的功能区之间的粘合性的功能。空穴注入区3所使用的材料需要具有与阳极2的优良粘合力，低电离电位和高玻璃态转化温度。希望空穴注入区3具有低于空穴传输区4的电子迁移率。空穴注入区3的材料的实例包括酞菁衍生物、卟啉衍生物、聚亚苯基亚乙烯基衍生物，星爆式(starburst)胺衍生物，聚苯胺和聚噻吩。这些化合物中，适当满足上述要求的那些包括酞菁铜(CuPc)和无金属酞菁，它是酞菁衍生物，和4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯基-胺)三苯基胺，该化合物是星爆式胺衍生物。空穴注入区3可以由一种材料或多种材料构成。空穴注入区3可以具有约5nm-100nm，优选10nm-50nm的厚度。空穴注入区3例如通过真空蒸气沉积法、自旋镀法或浸涂法制成。空穴传输区4具有有效地将从空穴注入区3注入的空穴传输到发光区5内的功能。空穴传输区4所使用的材料必须容易使空穴从空穴注入区3注入并且有效传输注入的空穴到导发光区5内。优选该空穴传输区4具有低于发光区5的电子迁移率。空穴传输区4的材料实例包括三芳基胺衍生物，主链和/或侧链中含有三苯基胺结构作为重复单元的化合物，三苯基甲烷衍生物，腙衍生物，噁唑衍生物，噁二唑衍生物，三唑衍生物，芴基二苯基胺衍生物，联苯胺衍生物，吡唑啉衍生物，均二苯乙烯衍生物，苯乙烯胺衍生物，聚亚苯基亚乙烯基衍生物，咔唑衍生物，苯二胺衍生物和螺化合物。形成空穴传输区4的材料还可以是作为空穴注入区3的材料而列举的那些。这些化合物中，那些适当满足上述要求的材料包括三苯基胺，三苯基胺的二聚物、三聚物、四聚物和五聚物，它本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光装置，其特征在于：阴极和阳极；和在阴极和阳极之间存在的多个含有机化合物层，其中两个彼此相邻的含有机化合物层中，位于更接近阳极的含有机化合物层的电子迁移率低于位于更接近阴极的含有机化合物层的电子迁移率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：长柄良明，
申请(专利权)人：株式会社丰田自动织机，
类型：发明
国别省市：JP[日本]