一种发光装置包括基板、微发光二极管、电源以及控制器。微发光二极管具有至少三个电连接点，微发光二极管是由多个微晶粒发光单元串接所组成于基板上。电源用以提供微发光二极管的电压。控制器用以控制电源的电压值以及控制电源经由其中一电连接点提供电压给微发光二极管。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种可控制操作功率的发光装置，特别是有关于一种可应 用于交流电源的发光装置。
技术介绍
由于发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有高耐久性、寿命长、 轻巧、耗电量低等优点，且不含水银等有害物质，可以预见LED照明将成为 未来全球照明产业及半导体产业的重要研发目标。常见的应用方向如白光照 明、指示灯、车用讯号灯和照明灯、手电筒、LED背光模块、投影机光源、 以及户外表示器等等。现有LED光源无法直接在交流电源下使用，需经过电源装置(或整流器) 将交流电转换成直流电(Alternat ing Current/Direct Current, AC/DC)后， 并控制在3.5V左右发光，因为必须将交流电转成直流电的电源装置，造成 产品成本较高。美国专利US 6547249案中提出一种发光二极管晶粒结构，包 含由微晶粒发光二极管所组成的 一微晶粒发光二极管模块，并形成于一芯片 (chip)上，微晶粒发光二极管模块由微晶粒发光二极管以串联或并联方式形 成，因此可以直接施加一交流电源或直流电源，使微晶粒发光二极管模块的 微晶粒发光二极管点亮，以此解决公知技术中直流发光二极管无法直接在交 流电源下使用或操作电压受限的问题，提升发光二极管元件的运用。另外， 在美国专利US 6635902、 US 6957899、 US 20050253151、 US 20040075399等 相关案例中也有类似的想法或者改良的设计。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光装置，发光装置包括一基板、 一微发光二极管 (micro lighting module)、 一电源以及一控制器。微发光二极管具有 至少三个电连接点，微发光二极管是由多个微晶粒发光单元串接所组成于基 板上。电源用以提供微发光二极管的电压。控制器用以控制电源的电压值以及控制电源经由其中 一 电连接点提供电压给微发光二极管。本专利技术还提供一种发光装置，发光装置包括一基板、多个微发光二极管、 一电源以及一控制器。多个微发光二极管具有至少一个电连接点，各微发光 二极管并联于基板上，微发光二极管是由多个微晶粒发光单元串接所组成的。 电源用以提供微发光二极管的电压。控制器用以控制电源的电压值以及控制 电源经由任一电连接点提供电压给微发光二极管。附图说明为让本专利技术的特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合附图，详细说明如下图1为表示根据本专利技术一实施例的可控制操作功率的发光装置。 图2为表示根据本专利技术另一实施例的可控制操作功率的发光装置。 图3为表示根据本专利技术另一实施例的可控制操作功率的发光装置。 主要元件符号说明 20~基板30、 33、 35、 39、 39a、 39b 孩i发光二才及管31a、 31b、 31c、 36a、 36b、 36c、 38a、 38b、 38c ~导线32a、 32b、 32c、 33a、 33b、 33c、 37a、 37b、 37c ~电连接点34~微晶粒40 ~电源50~控制器100、 200、 300 ~发光装置具体实施方式图1为表示根据本专利技术一实施例的可控制操作功率的发光装置100，发 光装置100包括基板20、微发光二极管30、电源40以及控制器50。基板20 可以是芯片、绝缘基板或可使微晶粒各自电绝缘的材料或结构。微发光二极 管30具有至少三个电连接点(32a、 32b、 32c)，微发光二极管30具有多个微 晶粒34串接于基板20上，各微晶粒34互相电绝缘，如图l所示，至少两微 晶粒并联为一微晶粒发光单元(第一微晶粒的阳极电连接第二微晶粒的阴极， 第二微晶粒的阳极电连接第一微晶粒的阴极)，各微晶粒发光单元串接为一微发光二极管30,因此微发光二极管30在交流电压下仍可发光，在另一实 施例中，微晶粒发光单元可通过微晶粒串联、并联或串并联所组成的，微发 光二极管可通过微晶粒发光单元串联、并联或串并联所组成的。电源40提供 微发光二极管3 0电压，电源4 0可以是直流电系统、交流电系统或直流电和 交流电混和系统。控制器50控制电源40的电压值以及控制电源40经由其中 一导线(31a、 31b及31c)和对应连接点(32a、 32b、 32c)至微发光二极管30。 通过改变电源40的电压值或电源40与微发光二极管30电连接点，以实现控 制发光装置100的操作功率。另外，微晶粒34为一非线性元件，可依不同工 作电压非线性改变晶粒本身操作功率的发光元件，如发光二极管LED或激光 二极管(Laser Diode， LD)，可根据不同操作电压非线性改变晶粒本身操作功 率。如图l所示，举例来说，若电源40为110V的交流电源，控制器50可控 制电源40经由导线31a和连接点32a提供电压给微发光二极管30、也可经 由导线31b和连接点32b提供电压给微发光二极管30或经由导线31c和连接 点32c提供电压给微发光二极管30。假设电源40是经由导线31a和连接点 32a连接微发光二极管30，所通过微晶粒数为N,而经由导线31b和连接点 32b连接微发光二极管30，所通过微晶粒数为N+1,而经由导线31c和连接 点32c连接微发光二极管30,所通过微晶粒数为N+2,由于通过微晶粒数不 同，在相同电源的电压下，各微晶粒单元操作功率则不同，于是改变微发光 二极管30的操作状态。另外，若电源40为一可变的交流电压源，例如AC IOOV或AC 110V ， 并且控制器50控制电源40经由导线31a和连接点32a连接微发光二极管30， 所通过微晶粒数为N，各微晶粒所承受的工作电压却会随着电源40电压值的 改变而改变，当电源40电压值越大时，各微晶粒的电压亦愈大，于是改变微 发光二极管的操作状态。图2为表示根据本专利技术另一实施例的可控制操作功率的发光装置200。 发光装置200包括基板20、微发光二极管39、电源40以及控制器50。基板 20可以是芯片、绝缘基板或可使微晶粒各自电绝缘的材料或结构。微发光二 极管39包括微发光二极管(39a和39b)，微发光二极管39具有N个微晶粒发 光单元，微发光二极管(39a和39b)分别具有N/2个微晶粒发光单元，各微晶 粒发光单元具有至少两个微晶粒34，如图2所示。微发光二极管39分别经由导线(38a、 38b及38c)和对应连接点(37a、 37b、 37c)连接至4空制器50， 控制器可控制电源40经由至少两导线(38a、38b或38c)和对应的连接点(37a、 37b或37c)提供电压给微发光二极管39。电源40可以是直流电系统、交流 电系统或直流电和交流电的混和系统。微晶粒34可以串联、并联或串并联混 合的型式，电连接形成一微发光二极管39，微晶粒34为一非线性元件，可 依不同工作电压非线性改变晶粒本身操作功率的发光元件，如发光二极管LED 或激光二极管(Laser Diode, LD)，可根据不同操作电压非线性改变晶粒本 身操作功率。举例来说，若电源40为110V的交流电，控制器50可控制电源40的电 流经由导线38b和对应的连接点37b到达微发光二极管39a，再经由导线38a 和对应的连接点37a流回到电源40，以及控制电源40的电流经由导线38b 和对应的连接点3本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，包括：一基板；一微发光二极管，设置于所述基板上，具有至少三个电连接点以及包括多个串接的微晶粒发光单元；以及一电源，用以提供所述微发光二极管的电压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶文勇，颜玺轩，黄知澍，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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